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半导体激光元件及发光装置

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411088629.6
申请日：
2024-08-09
公开(公告)号：
CN119070136A
公开(公告)日：
2024-12-03
发明(设计)人：
颜同伟 黄少华 邱若生 张中英 曾建尧
申请人：
厦门三安光电有限公司
申请人地址：
361100 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道841-899号
IPC主分类号：
H01S5/20
IPC分类号：
代理机构：
北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479
代理人：
田磊
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
江苏省 常州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-12-20 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01S 5/20申请日:20240809
2025-11-18 授权 授权
2024-12-03 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体激光元件及发光装置 [P]. 
颜同伟 ;
黄少华 ;
邱若生 ;
张中英 ;
曾建尧 .
中国专利 :CN119070136B ,2025-11-18
[2]
半导体激光元件及发光装置 [P]. 
黄敏 ;
胡雯婷 ;
叶方顺 ;
庄曜玮 ;
邓有财 ;
蔡家豪 ;
陈铭欣 ;
张家豪 .
中国专利 :CN120879329A ,2025-10-31
[3]
半导体激光元件及发光装置 [P]. 
颜同伟 ;
黄少华 ;
王俞授 ;
张中英 .
中国专利 :CN119070137A ,2024-12-03
[4]
半导体激光元件及发光装置 [P]. 
颜同伟 ;
黄少华 ;
王俞授 ;
张中英 .
中国专利 :CN119070137B ,2025-11-25
[5]
半导体发光元件及半导体发光装置 [P]. 
伊藤茂稔 ;
大松照幸 ;
金子和昭 .
中国专利 :CN109672081A ,2019-04-23
[6]
半导体发光元件及半导体发光装置 [P]. 
家段胜好 ;
井上芳树 .
中国专利 :CN102132426A ,2011-07-20
[7]
半导体发光元件及半导体发光装置 [P]. 
中田克弥 ;
柴田康之 ;
小川昭雄 .
日本专利 :CN120513711A ,2025-08-19
[8]
一种半导体激光元件及发光装置 [P]. 
颜同伟 ;
张睿洁 ;
陶仁春 ;
黄少华 ;
张中英 .
中国专利 :CN120978530A ,2025-11-18
[9]
一种半导体激光元件及发光装置 [P]. 
颜同伟 ;
张睿洁 ;
陶仁春 ;
黄少华 ;
张中英 .
中国专利 :CN120978529A ,2025-11-18
[10]
一种半导体激光元件及发光装置 [P]. 
颜同伟 ;
王俞授 ;
黄少华 ;
张中英 .
中国专利 :CN119674710A ,2025-03-21
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