高熵掺杂O3相层状氧化物及其制备方法、钠离子电池正极材料和电池

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310270071.2

申请日：

2023-03-15

公开(公告)号：

CN116605918B

公开(公告)日：

2024-12-06

发明(设计)人：

杨树斌陈浩

申请人：

北京航空航天大学

申请人地址：

100191 北京市海淀区学院路37号北京航空航天大学

IPC主分类号：

C01G53/00

IPC分类号：

H01M10/054 H01M4/525 H01M4/505

代理机构：

北京国贝知识产权代理有限公司 11698

代理人：

牟昌兵;于倩

法律状态：

授权

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-06	授权	授权

共 50 条

[1]

高熵掺杂锰基层状氧化物及其制备方法、钠离子电池正极材料和电池 [P].

杨树斌 ;

王梓铭 .

中国专利 :CN116062807B ,2024-12-24

[2]

高熵掺杂层状氧化物及其制备方法、正极材料和钠离子电池 [P].

杨树斌 ;

王梓铭 ;

陈浩 .

中国专利 :CN116425212B ,2025-07-25

[3]

富钠P2/O3双相层状氧化物及其制备方法、钠离子电池正极材料和电池 [P].

杨树斌 ;

王梓铭 .

中国专利 :CN116573683B ,2024-12-27

[4]

富钠P2相层状氧化物及其制备方法、钠离子电池正极材料和电池 [P].

杨树斌 ;

王梓铭 .

中国专利 :CN116588984B ,2024-12-31

[5]

高熵氧化物钠离子电池正极材料的制备方法 [P].

杨梅 ;

王柳淇 ;

范淇 ;

黄昊 ;

张梦丽 ;

夏晖 .

中国专利 :CN119059576A ,2024-12-03

[6]

一种O3型层状氧化物钠离子电池正极材料及其制备方法 [P].

杨成浩 .

中国专利 :CN117334890A ,2024-01-02

[7]

一种稀土La掺杂的O3相高熵氧化物钠离子电池正极材料及其制备方法 [P].

陈宝辉 ;

应道发 ;

刘晶菊 ;

李清辉 ;

吕阳 ;

王江峰 .

中国专利 :CN117374269A ,2024-01-09

[8]

一种钠离子电池O3相层状氧化物正极材料及其制备方法 [P].

颜果春 ;

常轶娇 ;

王接喜 ;

李新海 ;

尤编政 ;

王志兴 ;

郭华军 ;

彭文杰 ;

胡启阳 ;

周雍茂 .

中国专利 :CN113292113A ,2021-08-24

[9]

一种层状高熵氧化物钠离子电池正极材料 [P].

苗晓伟 ;

杨刚 ;

毕润界 ;

袁青晨 ;

倪欢 ;

李玉红 ;

杨玉波 ;

徐呈韬 .

中国专利 :CN119419249A ,2025-02-11

[10]

高熵层状氧化物钠离子电池正极材料和制备方法及应用 [P].

秦恺毅 ;

赵钰燊 ;

李莹 ;

朱彦荣 ;

伊廷锋 .

中国专利 :CN116409826B ,2025-08-19

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