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用于红外探测的超晶格材料以及红外探测器
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411129814.5
申请日
:
2024-08-16
公开(公告)号
:
CN118658910B
公开(公告)日
:
2024-11-22
发明(设计)人
:
黄勇
申请人
:
苏州晶歌半导体有限公司
申请人地址
:
215000 江苏省苏州市张家港经济技术开发区福新路1202号
IPC主分类号
:
H01L31/0304
IPC分类号
:
H01L31/0352
H01L31/105
代理机构
:
深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304
代理人
:
武岑飞
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
江苏省 苏州市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-10-08
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/0304申请日:20240816
2024-11-22
授权
授权
2024-09-17
公开
公开
共 50 条
[1]
用于红外探测的超晶格材料以及红外探测器
[P].
黄勇
论文数:
0
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0
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0
机构:
苏州晶歌半导体有限公司
苏州晶歌半导体有限公司
黄勇
.
中国专利
:CN118658910A
,2024-09-17
[2]
用于红外探测的超晶格材料以及红外探测器
[P].
颜建
论文数:
0
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0
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机构:
苏州晶歌半导体有限公司
苏州晶歌半导体有限公司
颜建
.
中国专利
:CN120166798A
,2025-06-17
[3]
中波超晶格红外探测器
[P].
王国伟
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王国伟
;
李农
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李农
;
刘冰
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刘冰
;
朱小贵
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朱小贵
;
李宁
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李宁
;
牛智川
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0
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牛智川
.
中国专利
:CN113327992A
,2021-08-31
[4]
一种超晶格红外探测器电极制备方法及超晶格红外探测器
[P].
任昂
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机构:
中国电子科技集团公司第十一研究所
中国电子科技集团公司第十一研究所
任昂
;
李景峰
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机构:
中国电子科技集团公司第十一研究所
中国电子科技集团公司第十一研究所
李景峰
;
刘铭
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机构:
中国电子科技集团公司第十一研究所
中国电子科技集团公司第十一研究所
刘铭
.
中国专利
:CN119836035A
,2025-04-15
[5]
隧道补偿超晶格红外探测器
[P].
邓军
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邓军
;
李超慧
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李超慧
;
徐晨
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徐晨
;
李建军
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李建军
;
孙伟业
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孙伟业
;
韩军
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韩军
.
中国专利
:CN108538935B
,2018-09-14
[6]
超晶格红外探测器及其制备方法
[P].
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机构:
黄晟
;
黄立
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机构:
武汉高芯科技有限公司
武汉高芯科技有限公司
黄立
;
吴佳
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机构:
武汉高芯科技有限公司
武汉高芯科技有限公司
吴佳
;
魏国帅
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0
机构:
武汉高芯科技有限公司
武汉高芯科技有限公司
魏国帅
;
刘永锋
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0
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机构:
武汉高芯科技有限公司
武汉高芯科技有限公司
刘永锋
.
中国专利
:CN119451292A
,2025-02-14
[7]
一种超晶格红外探测器
[P].
詹健龙
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0
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0
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0
詹健龙
;
吴一冈
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吴一冈
.
中国专利
:CN210375428U
,2020-04-21
[8]
超晶格红外探测器及其制备方法
[P].
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
黄晟
;
黄立
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0
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机构:
武汉高芯科技有限公司
武汉高芯科技有限公司
黄立
;
吴佳
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机构:
武汉高芯科技有限公司
武汉高芯科技有限公司
吴佳
;
刘永锋
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0
机构:
武汉高芯科技有限公司
武汉高芯科技有限公司
刘永锋
.
中国专利
:CN119277843A
,2025-01-07
[9]
一种超晶格探测器材料的生长方法及超晶格红外探测器
[P].
黄立
论文数:
0
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黄立
;
吴佳
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吴佳
;
刘永锋
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0
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刘永锋
;
王晓碧
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王晓碧
;
魏国帅
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魏国帅
.
中国专利
:CN114284394B
,2022-04-05
[10]
红外探测像素结构以及红外探测器
[P].
史永明
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史永明
;
王纯
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王纯
;
张超
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张超
.
中国专利
:CN207947288U
,2018-10-09
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