一种MEMS氢气传感器及其温度补偿方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411497163.5

申请日：

2024-10-25

公开(公告)号：

CN119001034A

公开(公告)日：

2024-11-22

发明(设计)人：

李剑温剑锐麻玉典周枫

申请人：

深圳市智芯微纳科技有限公司

申请人地址：

518000 广东省深圳市宝安区西乡街道凤凰岗社区宝安桃花源科技创新园蚝业分园综合楼302

IPC主分类号：

G01N33/00

IPC分类号：

G01N27/00 G01D21/02 G06F17/10

代理机构：

深圳倚智知识产权代理事务所(普通合伙) 44632

代理人：

霍如肖

法律状态：

授权

国省代码：

广东省深圳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-27	授权	授权
2024-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01N 33/00申请日:20241025
2024-11-22	公开	公开

共 50 条

[1]

一种MEMS氢气传感器及其温度补偿方法 [P].

李剑 ;

温剑锐 ;

麻玉典 ;

周枫 .

中国专利 :CN119001034B ,2024-12-27

[2]

钯合金氢气传感器及其温度补偿方法 [P].

贺海浪 ;

景涛 ;

陈浩 ;

王云志 .

中国专利 :CN117705893B ,2025-03-18

[3]

钯合金氢气传感器及其温度补偿方法 [P].

贺海浪 ;

景涛 ;

陈浩 ;

王云志 .

中国专利 :CN117705893A ,2024-03-15

[4]

一种MEMS氢气传感器及其制备方法 [P].

王飞翔 ;

丰永 ;

屈晓楠 .

中国专利 :CN121049350A ,2025-12-02

[5]

传感器系统及其温度补偿方法 [P].

J·S·戴维斯 .

中国专利 :CN113825981A ,2021-12-21

[6]

传感器系统及其温度补偿方法 [P].

J·S·戴维斯 .

美国专利 :CN113825981B ,2025-01-21

[7]

一种TMR电流传感器的温度补偿方法 [P].

周柯 ;

金庆忍 ;

莫枝阅 ;

廖文涛 ;

卢柏桦 ;

覃思 ;

陈嘉民 ;

金珍虎 ;

武杰 .

中国专利 :CN118884040A ,2024-11-01

[8]

一种带有温度补偿的MEMS传感器使用方法 [P].

庞静 ;

王姿涵 ;

付海 ;

门金明 .

中国专利 :CN118954417A ,2024-11-15

[9]

一种霍尔传感器温度补偿方法 [P].

陈渝 ;

刘杰 ;

徐琴 ;

张竹 ;

李建勇 ;

马学胜 ;

李庆涛 ;

王双 ;

李俊 .

中国专利 :CN112461270A ,2021-03-09

[10]

一种磁阻传感器温度补偿方法 [P].

欧阳勇 ;

胡军 ;

何金良 ;

王善祥 ;

王中旭 ;

赵根 ;

曾嵘 ;

庄池杰 ;

张波 ;

余占清 .

中国专利 :CN106706005A ,2017-05-24

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