具有阴阳离子共变价的高熵层状氧化物材料及制备方法和用途

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310435218.9

申请日：

2023-04-21

公开(公告)号：

CN118825259A

公开(公告)日：

2024-10-22

发明(设计)人：

胡勇胜党荣彬容晓晖周琳陆雅翔周权陈立泉

申请人：

中国科学院物理研究所

申请人地址：

100190 北京市海淀区中关村南三街8号

IPC主分类号：

H01M4/525

IPC分类号：

H01M4/505 H01M4/485 H01M4/131 H01M10/054 C01G53/00

代理机构：

北京慧诚智道知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11539

代理人：

高廖楠

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01M 4/525申请日:20230421
2025-09-30	授权	授权
2024-10-22	公开	公开

共 50 条

[1]

具有阴阳离子共变价的高熵层状氧化物材料及制备方法和用途 [P].

胡勇胜 ;

党荣彬 ;

容晓晖 ;

周琳 ;

陆雅翔 ;

周权 ;

陈立泉 .

中国专利 :CN118825259B ,2025-09-30

[2]

纯阳离子变价的高钠含量P2相层状氧化物材料、制备方法和用途 [P].

胡勇胜 ;

赵成龙 ;

陈立泉 .

中国专利 :CN111162250A ,2020-05-15

[3]

一种阴离子变价层状氧化物材料、制备方法和用途 [P].

胡勇胜 ;

容晓晖 ;

陈立泉 .

中国专利 :CN109560258A ,2019-04-02

[4]

具有阴离子变价的钠镁锰基层状氧化物材料、制备方法和用途 [P].

胡勇胜 ;

容晓晖 ;

杨凯 ;

高飞 ;

陈立泉 .

中国专利 :CN110504443A ,2019-11-26

[5]

阴阳离子共掺杂型高锰层状氧化物钠离子电池正极材料及其制备方法 [P].

请求不公布姓名 ;

曹余良 ;

赵阿龙 ;

陈晓洋 ;

朴金丹 .

中国专利 :CN117525382A ,2024-02-06

[6]

高熵层状氧化物、单晶高熵正极材料及其制备方法和应用 [P].

张国华 ;

黄云辉 .

:CN118198347A ,2024-06-14

[7]

阴阳离子共修饰隧道型氧化物材料及其制备方法与应用 [P].

龚华旭 ;

王庆渊 ;

陈永珍 ;

程思源 .

中国专利 :CN115020694A ,2022-09-06

[8]

高熵掺杂层状氧化物及其制备方法、正极材料和钠离子电池 [P].

杨树斌 ;

王梓铭 ;

陈浩 .

中国专利 :CN116425212B ,2025-07-25

[9]

多离子共掺杂的层状氧化物钠离子电池正极材料及其制备方法 [P].

徐璟 ;

刘俊滔 ;

夏晖 .

中国专利 :CN117913266A ,2024-04-19

[10]

一种高熵层状氧化物材料及其制备方法和应用 [P].

李荐 ;

盛天都 ;

聂海英 .

中国专利 :CN119674050A ,2025-03-21

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