一种MEMS惯性传感器芯片的封装结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202421116013.0

申请日：

2024-05-22

公开(公告)号：

CN222007319U

公开(公告)日：

2024-11-15

发明(设计)人：

范黎明

申请人：

北京一零一航空电子设备有限公司

申请人地址：

100048 北京市海淀区西三环北路72号B座1609

IPC主分类号：

B81B7/00

IPC分类号：

B81B7/02 G01C21/16

代理机构：

北京四方智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 16223

代理人：

樊坤

法律状态：

授权

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-15	授权	授权

共 50 条

[1]

一种MEMS惯性传感器的封装结构 [P].

张廷凯 ;

王从亮 .

中国专利 :CN204434268U ,2015-07-01

[2]

一种用于MEMS惯性传感器的封装结构 [P].

范黎明 .

中国专利 :CN214010344U ,2021-08-20

[3]

一种MEMS惯性传感器芯片模组以及MEMS传感器 [P].

虢晓双 ;

杨靖 ;

张新凯 ;

熊亮 ;

黎傲雪 ;

彭健 .

中国专利 :CN215364898U ,2021-12-31

[4]

具有应力隔离的MEMS惯性传感器封装结构 [P].

施芹 ;

裘安萍 ;

苏岩 .

中国专利 :CN201598171U ,2010-10-06

[5]

一种用于高冲击MEMS惯性传感器芯片的封装结构 [P].

陈璞 ;

郭群英 ;

郑宇 ;

王文靖 ;

陈博 ;

黄斌 .

中国专利 :CN106564852A ,2017-04-19

[6]

MEMS压力传感器、MEMS惯性传感器集成结构 [P].

郑国光 .

中国专利 :CN204675826U ,2015-09-30

[7]

一种MEMS惯性传感器 [P].

郑国光 .

中国专利 :CN204555991U ,2015-08-12

[8]

一种MEMS惯性传感器 [P].

黄晟 ;

蔡光艳 ;

蔡喜元 ;

魏晓莉 ;

贾蔓谷 ;

丁铮 .

中国专利 :CN221686403U ,2024-09-10

[9]

一种MEMS惯性传感器 [P].

郑国光 .

中国专利 :CN204758628U ,2015-11-11

[10]

惯性传感器的封装结构 [P].

邓登峰 .

中国专利 :CN211770287U ,2020-10-27

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