电吸收调制器激光器及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311285162.X
申请日
2023-10-07
公开(公告)号
CN117394138B
公开(公告)日
2024-10-29
发明(设计)人
韩宇
申请人
武汉云岭光电股份有限公司
申请人地址
430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区长城园路2号武汉澳新科技1号厂房102室
IPC主分类号
H01S5/12
IPC分类号
H01S5/026 H01S5/06
代理机构
北京汇泽知识产权代理有限公司 11228
代理人
张小丽
法律状态
授权
国省代码
河北省 石家庄市
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共 50 条
[1]
电吸收调制器激光器及其制备方法 [P]. 
韩宇 .
中国专利 :CN117394138A ,2024-01-12
[2]
电吸收调制激光器及其制备方法 [P]. 
周代兵 ;
贺卫利 ;
安欣 ;
梁松 ;
赵玲娟 .
中国专利 :CN116526298B ,2025-07-25
[3]
电吸收调制激光器及其制备方法 [P]. 
王健 ;
罗毅 ;
孙长征 ;
熊兵 .
中国专利 :CN107611772B ,2018-01-19
[4]
电吸收调制激光器及其制备方法 [P]. 
周代兵 ;
安欣 ;
贺卫利 ;
陆丹 ;
梁松 ;
赵玲娟 .
中国专利 :CN118508239A ,2024-08-16
[5]
电吸收调制激光器 [P]. 
陈欣 .
中国专利 :CN115336123B ,2025-04-04
[6]
电吸收调制激光器 [P]. 
温永阔 ;
胡靖 ;
邓刚 ;
张雄辉 ;
赵立军 .
中国专利 :CN215497527U ,2022-01-11
[7]
电吸收调制激光器 [P]. 
陈欣 .
中国专利 :CN115336123A ,2022-11-11
[8]
电吸收调制激光器及其制作方法 [P]. 
梁松 ;
剌晓波 .
中国专利 :CN112072461A ,2020-12-11
[9]
电吸收调制半导体激光器及其制备方法 [P]. 
李鸿建 ;
郭娟 .
中国专利 :CN120527755A ,2025-08-22
[10]
电吸收调制半导体激光器及其制备方法 [P]. 
李鸿建 ;
郭娟 .
中国专利 :CN120527755B ,2025-11-18