集成电路器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410431502.3

申请日：

2024-04-11

公开(公告)号：

CN118825026A

公开(公告)日：

2024-10-22

发明(设计)人：

宋胜旼李载泓徐康一

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L27/092

IPC分类号：

H01L27/12 H01L21/82 H01L21/822 H01L21/8238 H01L21/84

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

程丹辰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-22	公开	公开
2024-11-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/092申请日:20240411

共 50 条

[1]

集成电路器件及其形成方法 [P].

李载泓 ;

徐康一 ;

林修永 ;

洪元赫 .

韩国专利 :CN119521768A ,2025-02-25

[2]

集成电路器件及其形成方法 [P].

任廷爀 ;

徐康一 ;

孙吉焕 ;

金基一 .

中国专利 :CN115377102A ,2022-11-22

[3]

集成电路器件及其形成方法 [P].

朴判济 ;

金珍泰 ;

徐康一 .

韩国专利 :CN119521763A ,2025-02-25

[4]

集成电路器件及其形成方法 [P].

金珍泰 ;

朴判济 ;

徐康一 .

韩国专利 :CN119730374A ,2025-03-28

[5]

集成电路器件及其形成方法 [P].

黄彦杰 ;

陈海清 ;

林仲德 .

中国专利 :CN114078860A ,2022-02-22

[6]

集成电路器件及其形成方法 [P].

朴判济 ;

金珍泰 ;

徐康一 .

韩国专利 :CN119521764A ,2025-02-25

[7]

集成电路器件及其形成方法 [P].

尤韦翔 ;

范铭隆 ;

吕盈达 ;

廖思雅 .

中国专利 :CN118198069A ,2024-06-14

[8]

集成电路器件及其形成方法 [P].

许智育 ;

陈建豪 ;

陈嘉伟 ;

廖善美 ;

陈蕙祺 ;

梁育嘉 ;

林士豪 ;

林揆伦 ;

游国丰 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113053882B ,2025-03-25

[9]

集成电路器件及其形成方法 [P].

朴金锡 ;

白在职 ;

朴修永 ;

徐康一 .

韩国专利 :CN117913092A ,2024-04-19

[10]

集成电路器件及其形成方法 [P].

简绍伦 ;

江庭玮 ;

庄惠中 ;

苏品岱 .

中国专利 :CN112117273A ,2020-12-22

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