一种阳离子掺杂的磷化镍双功能自支撑电极材料、材料的制备方法及应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411031144.3

申请日：

2024-07-30

公开(公告)号：

CN118910664A

公开(公告)日：

2024-11-08

发明(设计)人：

刘茂昌刘赛娅王树建胡安澜师进文敬登伟

申请人：

西安交通大学

申请人地址：

710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号

IPC主分类号：

C25B11/091

IPC分类号：

C25B11/061 C25B1/04

代理机构：

西安智大知识产权代理事务所 61215

代理人：

季海菊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C25B 11/091申请日:20240730
2024-11-08	公开	公开

共 50 条

[1]

一种磷化镍-磷化钌/泡沫镍三维自支撑电极材料的制备方法和应用 [P].

李继森 ;

司崇殿 .

中国专利 :CN113186564B ,2021-07-30

[2]

一种磷化镍-磷化铁-磷化钌/泡沫镍三维自支撑电极材料的制备方法和应用 [P].

李继森 ;

姜继霞 .

中国专利 :CN113201764A ,2021-08-03

[3]

一种阳离子掺杂的锰酸钾材料的制备方法 [P].

高林 ;

王晓刚 .

中国专利 :CN115504512A ,2022-12-23

[4]

一种片状磷化镍阵列电极材料的非酸介质制备方法 [P].

冯苗 ;

朱阿元 .

中国专利 :CN113881964A ,2022-01-04

[5]

一种磷化镍/泡沫镍电化学功能析氢材料的制备方法 [P].

宋来洲 ;

杨淑琴 ;

霍思月 ;

王秀丽 ;

牛倩倩 .

中国专利 :CN110512228A ,2019-11-29

[6]

一种钨掺杂的磷化镍纳米片阵列材料及其制备和应用 [P].

陈作锋 ;

汪建营 ;

屠振涛 ;

何晓洋 ;

刘璇 ;

熊登科 .

中国专利 :CN117342532A ,2024-01-05

[7]

一种氢氧化镍电极材料的制备方法 [P].

邹雪锋 ;

向斌 ;

郑鹤琳 ;

邓明森 ;

沈虎峻 ;

杨恒修 .

中国专利 :CN114360927B ,2022-04-15

[8]

一种镍掺杂的羟基氧化铁自支撑电极材料的自源刻蚀制备方法及其应用 [P].

李华明 ;

王照龙 ;

许晖 ;

莫曌 .

中国专利 :CN114277400A ,2022-04-05

[9]

一种镍掺杂的羟基氧化铁自支撑电极材料的自源刻蚀制备方法及其应用 [P].

李华明 ;

王照龙 ;

许晖 ;

莫曌 .

中国专利 :CN114277400B ,2024-05-14

[10]

一种双功能的硫化物自支撑电极及其制备方法 [P].

曹雅琪 ;

陈莹 ;

刘豪杰 ;

陈雅轩 .

中国专利 :CN120443233A ,2025-08-08

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