一种低含氧聚二甲基硅烷及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410913709.4
申请日
2024-07-09
公开(公告)号
CN118480180B
公开(公告)日
2024-11-15
发明(设计)人
张毅 王勇 方勇 崔西峰 于宗芝
申请人
北京爱思达航天科技有限公司
申请人地址
100000 北京市大兴区北京经济技术开发区地盛北街1号院40号楼12层1201室
IPC主分类号
C08G77/06
IPC分类号
C08G77/34
代理机构
北京力量专利代理事务所(特殊普通合伙) 11504
代理人
李婷玉
法律状态
授权
国省代码
北京市
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共 50 条
[1]
一种低含氧聚二甲基硅烷及其制备方法 [P]. 
张毅 ;
王勇 ;
方勇 ;
崔西峰 ;
于宗芝 .
中国专利 :CN118480180A ,2024-08-13
[2]
一种聚二甲基硅烷材料及其制备方法 [P]. 
黄力峰 ;
黄清芊 ;
刘燕鹏 ;
刘周东 ;
陈家煌 ;
刘炯洋 .
中国专利 :CN112538165A ,2021-03-23
[3]
一种超声钠缩合制备聚二甲基硅烷的方法及聚二甲基硅烷 [P]. 
王军 .
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[4]
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郑桦 ;
黄力峰 ;
陈福来 ;
庄培焕 ;
陈智林 ;
陈家煌 ;
刘炯洋 .
中国专利 :CN112048068A ,2020-12-08
[5]
一种聚二甲基硅烷合成方法及其在制备聚碳硅烷中的应用 [P]. 
陈丽滨 ;
贺卫东 ;
胡建清 ;
庄佳慧 ;
陈家煌 ;
郑桦 .
中国专利 :CN119570040A ,2025-03-07
[6]
一种聚二甲基硅烷的制备方法 [P]. 
陈阳阳 ;
黄清芊 ;
陈家煌 ;
张佚琳 .
中国专利 :CN114130345A ,2022-03-04
[7]
分子量分布均匀的聚二甲基硅烷的制备方法 [P]. 
吴宝林 ;
侯振华 .
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[8]
一种低含氧高纯度聚碳硅烷的制备方法 [P]. 
姚晓吉 ;
李思维 ;
汤明 ;
黄金秋 ;
涂惠彬 .
中国专利 :CN113461951B ,2021-10-01
[9]
一种聚二甲基硅烷的制备混合设备 [P]. 
方煜 ;
武建兵 .
中国专利 :CN109894042B ,2019-06-18
[10]
一种聚二甲基硅烷自动下料装置 [P]. 
黄小忠 ;
余维敏 ;
夏红波 ;
汪隆杰 .
中国专利 :CN220617666U ,2024-03-19