半导体存储器及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910972733.4

申请日：

2019-10-14

公开(公告)号：

CN112736080B

公开(公告)日：

2024-11-15

发明(设计)人：

江文涌

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

230001 安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-15	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体存储器及其形成方法 [P].

江文涌 .

中国专利 :CN112736080A ,2021-04-30

[2]

半导体存储器及其形成方法 [P].

苏茂华 .

中国专利 :CN112992775A ,2021-06-18

[3]

半导体存储器的形成方法 [P].

刘欣然 .

中国专利 :CN112447603A ,2021-03-05

[4]

半导体存储器及其形成方法 [P].

张璋炎 .

中国专利 :CN101207024B ,2008-06-25

[5]

半导体存储器及其形成方法 [P].

郑明勋 .

中国专利 :CN118019333A ,2024-05-10

[6]

半导体存储器及其形成方法 [P].

季明华 .

中国专利 :CN100590853C ,2008-06-18

[7]

电容阵列结构及其形成方法、半导体存储器 [P].

鲍锡飞 .

中国专利 :CN112397509A ,2021-02-23

[8]

半导体存储器结构及其形成方法 [P].

杨峻昇 ;

陈兴豪 .

中国专利 :CN115084034A ,2022-09-20

[9]

半导体存储器结构及其形成方法 [P].

卢建鸣 ;

吴柏翰 .

中国专利 :CN115513206A ,2022-12-23

[10]

半导体存储器装置及其形成方法 [P].

祐川光成 .

中国专利 :CN113496731A ,2021-10-12

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