用于EMI屏蔽的二维金属碳化物、氮化物和碳氮化物膜和复合物

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110068271.0

申请日：

2017-04-21

公开(公告)号：

CN112911917B

公开(公告)日：

2024-11-22

发明(设计)人：

尤里·戈高齐斯巴巴克·阿纳索里穆罕默德·H·阿尔哈贝卜克里斯蒂娜·B·哈特具钟珉洪淳晚费萨尔·沙阿扎德

申请人：

德雷塞尔大学韩国科学技术研究院

申请人地址：

美国宾夕法尼亚州

IPC主分类号：

H05K9/00

IPC分类号：

H01B1/20 C01B32/921 C01B32/90

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

刘慧;金海霞

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-22	授权	授权

共 50 条

[1]

用于EMI屏蔽的二维金属碳化物、氮化物和碳氮化物膜和复合物 [P].

尤里·戈高齐斯 ;

巴巴克·阿纳索里 ;

穆罕默德·H·阿尔哈贝卜 ;

克里斯蒂娜·B·哈特 ;

具钟珉 ;

洪淳晚 ;

费萨尔·沙阿扎德 .

中国专利 :CN112911917A ,2021-06-04

[2]

用于EMI屏蔽的二维金属碳化物、氮化物和碳氮化物膜和复合物 [P].

尤里·戈高齐斯 ;

巴巴克·阿纳索里 ;

穆罕默德·H·阿尔哈贝卜 ;

克里斯蒂娜·B·哈特 ;

具钟珉 ;

洪淳晚 ;

费萨尔·沙阿扎德 .

中国专利 :CN109417863A8 ,2019-03-01

[3]

一种二维过渡金属碳化物或氮化物的制备方法 [P].

李亮 ;

李庚南 ;

谭理 ;

张宇萌 .

中国专利 :CN106744733A ,2017-05-31

[4]

绿色合成二维过渡金属碳化物或者氮化物纳米片的方法 [P].

耿凤霞 ;

宣琎楠 ;

王志强 .

中国专利 :CN106744732A ,2017-05-31

[5]

氮化物和碳化物阳极材料 [P].

R·耐斯珀尔 ;

D·昆度 ;

R·福特达尔 ;

M·沃尔 ;

H·弗耶瓦格 .

中国专利 :CN101916859A ,2010-12-15

[6]

形成氧氮化物膜和氮化物膜的方法和装置、氧氮化物膜、氮化物膜和基材 [P].

藤村纪文 ;

早川竜马 ;

北畠裕也 ;

上原刚 ;

屋良卓也 .

中国专利 :CN1938835A ,2007-03-28

[7]

制备金属氮化物和金属碳化物的方法 [P].

P·南迪 ;

Q·A·尼扎米 ;

C·E·克利沃 ;

A·J·斯特拉 ;

J·M·达卡 ;

H·古普塔 .

中国专利 :CN109790024A ,2019-05-21

[8]

金属碳氮化物层和生成金属碳氮化物层的方法 [P].

R·皮通耐克 ;

J·加西亚 ;

R·韦森巴彻 ;

K·鲁兹－尤迪尔 .

中国专利 :CN101243204A ,2008-08-13

[9]

一种提高抗菌性的分层二维过渡金属碳化物或碳氮化物―二碳化三钛的制备方法 [P].

林道辉 ;

克里斯哈拉莫斯·拉贾威尔 ;

沈书怡 .

中国专利 :CN108584959B ,2018-09-28

[10]

一种过渡金属碳化物粉末和过渡金属碳化物-氮化物复合粉末的制备工艺 [P].

刘少存 ;

向建勇 ;

柳忠元 ;

廖娟秀 .

中国专利 :CN108975339B ,2018-12-11

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