半导体结构及其制备方法、半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411036306.2

申请日：

2024-07-30

公开(公告)号：

CN118866807A

公开(公告)日：

2024-10-29

发明(设计)人：

张旭储郁冬陆琦赵天楚

申请人：

上海积塔半导体有限公司

申请人地址：

201306 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云水路600号

IPC主分类号：

H01L21/762

IPC分类号：

H01L29/06

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

孙亚杰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/762申请日:20240730
2024-10-29	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构的制备方法、半导体结构、半导体器件 [P].

黄厚恒 ;

宋富冉 ;

周儒领 .

中国专利 :CN120076391A ,2025-05-30

[2]

半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P].

刘洋 ;

李松雨 ;

陶大伟 .

中国专利 :CN118102710A ,2024-05-28

[3]

半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P].

廖学海 ;

明玉坤 ;

邹鹏 .

中国专利 :CN121099680A ,2025-12-09

[4]

半导体器件、半导体结构及其制备方法 [P].

周维杰 ;

常靖华 .

中国专利 :CN119866047A ,2025-04-22

[5]

半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P].

曹功勋 .

中国专利 :CN118800771A ,2024-10-18

[6]

半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P].

曹先雷 .

中国专利 :CN114792756A ,2022-07-26

[7]

半导体结构、半导体器件及其制备方法 [P].

魏峰 ;

相奇 .

中国专利 :CN114334621A ,2022-04-12

[8]

半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P].

李兆松 ;

李思晢 ;

单传海 ;

鲁周阳 ;

毛晓明 ;

高晶 ;

刘静 ;

霍宗亮 ;

谢雷 .

中国专利 :CN114361169A ,2022-04-15

[9]

半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P].

赵勇 .

中国专利 :CN117690907A ,2024-03-12

[10]

半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P].

张镜华 ;

魏国栋 ;

陈璐 ;

毕婉晴 ;

陶双福 .

中国专利 :CN120282512A ,2025-07-08

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