具有可切换分析磁体的双源注入器

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202380030891.2
申请日
2023-03-23
公开(公告)号
CN118946950A
公开(公告)日
2024-11-12
发明(设计)人
威廉·普拉托维 尼尔·巴森
申请人
艾克塞利斯科技公司
申请人地址
美国马萨诸塞州比佛利市樱桃山大道108号
IPC主分类号
H01J37/317
IPC分类号
代理机构
北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019
代理人
张琳;寿宁
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
具有双显示布置的流体注入器系统 [P]. 
M·费肖 ;
P·坎佩尔 ;
E·拉宾 ;
A·纳普勒斯 ;
R·莫顿 ;
K·坦克佐斯 .
美国专利 :CN120981858A ,2025-11-18
[2]
具有垂直双极注入器的DRAM存储器单元 [P]. 
C·马聚 ;
R·费朗特 .
中国专利 :CN102130128A ,2011-07-20
[3]
具有可激活层的注入器装置止挡件 [P]. 
E·H·库利 ;
W·G·哈迪 .
美国专利 :CN117881445A ,2024-04-12
[4]
用于离子注入器的离子源 [P]. 
K·贝克 ;
W·贝尔 ;
K·佩特利 .
中国专利 :CN101167154A ,2008-04-23
[5]
具有缩回针的自动注入器 [P]. 
M·扬 .
中国专利 :CN113456945A ,2021-10-01
[6]
具有缩回针的自动注入器 [P]. 
M·扬 .
中国专利 :CN108430541B ,2018-08-21
[7]
气体注入器和具有气体注入器的膜沉积设备 [P]. 
李亨燮 ;
南宫晟泰 ;
李圭桓 ;
权宁浩 ;
李昌宰 .
中国专利 :CN103147068A ,2013-06-12
[8]
气体注入器和具有气体注入器的膜沉积设备 [P]. 
李亨燮 ;
南宫晟泰 ;
李圭桓 ;
权宁浩 ;
李昌宰 .
中国专利 :CN101481796A ,2009-07-15
[9]
具有双注入控制的电源转换器及其控制电路 [P]. 
蔡杰儒 ;
洪宇廷 ;
陈景然 ;
许展瑄 ;
谢俊禹 .
中国专利 :CN120834699A ,2025-10-24
[10]
具有带纹理的内表面的离子注入源 [P]. 
奈尔·卡尔文 ;
谢泽仁 .
中国专利 :CN106463318A ,2017-02-22