一种CFG蚀刻装置

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专利类型
实用新型
申请号
CN202323540274.3
申请日
2023-12-25
公开(公告)号
CN221917812U
公开(公告)日
2024-10-29
发明(设计)人
高尚 韦新颖 朱波
申请人
成都拓米双都光电有限公司
申请人地址
610511 四川省成都市新都区石板滩街道跃飞路528号4号楼
IPC主分类号
C03C15/00
IPC分类号
C03B33/08
代理机构
成都众恒智合专利代理事务所(普通合伙) 51239
代理人
钟显毅
法律状态
授权
国省代码
四川省 成都市
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共 50 条
[1]
一种CFG蚀刻槽 [P]. 
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