一种MOSFET温度检测电路及方法

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专利类型
发明
申请号
CN202410999072.5
申请日
2024-07-24
公开(公告)号
CN118858871A
公开(公告)日
2024-10-29
发明(设计)人
张晓文 肖洋 吴佳杰
申请人
上海金脉电子科技有限公司
申请人地址
200030 上海市徐汇区乐山路33号3幢305室
IPC主分类号
G01R31/26
IPC分类号
代理机构
北京品源专利代理有限公司 11332
代理人
严慧
法律状态
实质审查的生效
国省代码
上海市 市辖区
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共 50 条
[1]
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