フィンＦＥＴパワー半導体デバイス[ja]

被引：0

申请号：

JP20230532285

申请日：

2021-11-24

公开(公告)号：

JP2023553358A

公开(公告)日：

2023-12-21

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/12

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法律状态信息

共 50 条

[1]

パワー半導体デバイスの製造方法およびパワー半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2025519797A ,2025-06-26

[2]

超接合パワー半導体デバイスおよび超接合パワー半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025534124A ,2025-10-09

[3]

半導体デバイス、半導体装置および半導体デバイス形成方法[ja] [P].

日本专利 :JP2021500741A ,2021-01-07

[4]

半導体パワースイッチ及び半導体パワースイッチの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2016524332A ,2016-08-12

[5]

半導体デバイス用基板[ja] [P].

日本专利 :JP2016507450A ,2016-03-10

[6]

半導体デバイスおよび半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2017511596A ,2017-04-20

[7]

傾斜ゲート・トレンチを含むパワー半導体デバイス[ja] [P].

KIM WOONGSUN ;

DANIEL J LICHTENWALNER ;

RYU SEI-HYUNG ;

NAEEM ISLAM ;

THOMAS E HARRINGTON III .

日本专利 :JP2025078816A ,2025-05-20

[8]

傾斜ゲート・トレンチを含むパワー半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2023548037A ,2023-11-15

[9]

半導体デバイスの製造[ja] [P].

日本专利 :JP2024527739A ,2024-07-26

[10]

半導体材料とストレージデバイス[ja] [P].

日本专利 :JP6002158B2 ,2016-10-05

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