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垂直腔面发射激光器、阵列及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410941862.8
申请日：
2024-07-15
公开(公告)号：
CN119009672A
公开(公告)日：
2024-11-22
发明(设计)人：
杨保华 乔世祥
申请人：
武汉市博威通科技有限公司
申请人地址：
430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷大道特1号国际企业中心三期3栋3层07号F287
IPC主分类号：
H01S5/183
IPC分类号：
H01S5/42
代理机构：
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人：
李婉婉
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-12-10 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01S 5/183申请日:20240715
2025-05-13 授权 授权
2024-11-22 公开 公开
共 50 条
[1]
垂直腔面发射激光器、阵列及其制备方法 [P]. 
杨保华 ;
乔世祥 .
中国专利 :CN119009672B ,2025-05-13
[2]
垂直腔面发射激光器的制备方法及垂直腔面发射激光器 [P]. 
李敏 ;
吴昌翰 ;
王冲 .
中国专利 :CN117498152A ,2024-02-02
[3]
垂直腔面发射激光器及其制备方法 [P]. 
曾评伟 ;
蔡文必 .
中国专利 :CN112038887A ,2020-12-04
[4]
垂直腔面发射激光器及其制备方法 [P]. 
佟海霞 ;
佟存柱 .
中国专利 :CN117134194B ,2024-01-02
[5]
垂直腔面发射激光器及其制备方法与激光器阵列 [P]. 
张建伟 ;
徐玥辉 ;
周寅利 ;
陈超 ;
张大勇 ;
宁永强 ;
王立军 .
中国专利 :CN118040472A ,2024-05-14
[6]
垂直腔面发射激光器阵列结构及其制备方法 [P]. 
关宝璐 ;
闻燕 ;
张晓昱 ;
王宏卓 ;
叶文轩 .
中国专利 :CN114400499B ,2024-07-05
[7]
垂直腔面发射激光器及其制备方法 [P]. 
李川川 ;
李阳 ;
袁崇献 ;
韦欣 .
中国专利 :CN119496035A ,2025-02-21
[8]
垂直腔面发射激光器及其制备方法 [P]. 
赵炆兼 .
中国专利 :CN120165299A ,2025-06-17
[9]
垂直腔面发射激光器阵列 [P]. 
李浩 .
中国专利 :CN215418967U ,2022-01-04
[10]
垂直腔面发射激光器阵列芯片及其制备方法 [P]. 
宋院鑫 .
中国专利 :CN117498151A ,2024-02-02
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