制造包括PNP双极晶体管和NPN双极晶体管的器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110127097.2

申请日：

2021-01-29

公开(公告)号：

CN113206040B

公开(公告)日：

2024-11-22

发明(设计)人：

J·日默内·马蒂内

申请人：

意法半导体（克洛尔2）公司

申请人地址：

法国克洛尔

IPC主分类号：

H01L21/8228

IPC分类号：

H01L29/06 H01L27/082

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

王茂华

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-22	授权	授权

共 50 条

[1]

制造包括PNP双极晶体管和NPN双极晶体管的器件的方法 [P].

J·日默内·马蒂内 .

中国专利 :CN113206040A ,2021-08-03

[2]

双极晶体管以及制造双极晶体管的方法 [P].

J·康拉斯 ;

H-J·舒尔策 .

中国专利 :CN109659359A ,2019-04-19

[3]

双极晶体管以及制造双极晶体管的方法 [P].

J·康拉斯 ;

H-J·舒尔策 .

中国专利 :CN104282739A ,2015-01-14

[4]

制造双极晶体管的方法、双极晶体管和集成电路 [P].

埃弗利娜·格里德莱特 ;

约翰尼斯·唐克斯 ;

皮特鲁斯·马尼 ;

菲特·丁 ;

托尼·范胡克 .

中国专利 :CN104134688B ,2014-11-05

[5]

包括双极晶体管的结构 [P].

E·布雷扎 ;

A·高蒂尔 ;

F·德普拉 ;

P·舍瓦利耶 .

中国专利 :CN214797424U ,2021-11-19

[6]

制造双极晶体管的方法和双极晶体管 [P].

埃弗利娜·格里德莱特 ;

托尼·范胡克 ;

约翰尼斯·唐克斯 ;

汉斯·莫腾斯 ;

布兰迪恩·杜利兹 .

中国专利 :CN102479704A ,2012-05-30

[7]

双极晶体管结构和制造双极晶体管结构的方法 [P].

C.达尔 ;

A.蒂尔克 ;

D.A.楚马科夫 .

中国专利 :CN105321995B ,2016-02-10

[8]

制造双极晶体管的方法和通过这种方法获得的双极晶体管 [P].

E·布雷扎 ;

A·高蒂尔 ;

F·德普拉 ;

P·舍瓦利耶 .

中国专利 :CN113327853A ,2021-08-31

[9]

双极晶体管 [P].

U·S·拉古纳坦 ;

S·M·尚克 ;

S·A·麦塔格特 ;

M·E·莱顿-努弗 ;

C·E·卢斯 ;

R·哈兹布恩 ;

A·M·德里克森 .

美国专利 :CN120786914A ,2025-10-14

[10]

制造双极晶体管的方法以及采用该方法得到的双极晶体管 [P].

埃尔温·海鲁 ;

菲利浦·默尼耶-贝拉德 ;

约翰内斯·J·T·M·唐克斯 .

中国专利 :CN101479837A ,2009-07-08

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