发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411162496.2

申请日：

2024-08-23

公开(公告)号：

CN118676277B

公开(公告)日：

2024-10-29

发明(设计)人：

胡加辉郑文杰程龙高虹刘春杨金从龙

申请人：

江西兆驰半导体有限公司

申请人地址：

330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号

IPC主分类号：

H01L33/14

IPC分类号：

H01L33/02 H01L33/00

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

王建宇

法律状态：

公开

国省代码：

河北省保定市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-09-20	公开	公开
2024-10-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/14申请日:20240823
2024-10-29	授权	授权

共 50 条

[1]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

胡加辉 ;

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

金从龙 .

中国专利 :CN118676277A ,2024-09-20

[2]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

郑文杰 ;

曹斌斌 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117410406A ,2024-01-16

[3]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 ;

顾伟 .

中国专利 :CN117637954A ,2024-03-01

[4]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 ;

顾伟 .

中国专利 :CN117637954B ,2024-04-09

[5]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

郑文杰 ;

曹斌斌 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117410406B ,2024-02-20

[6]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

张彩霞 ;

印从飞 ;

程金连 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN116169216B ,2025-08-05

[7]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

胡加辉 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

金从龙 .

中国专利 :CN119230673B ,2025-04-22

[8]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

胡加辉 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

金从龙 .

中国专利 :CN119230673A ,2024-12-31

[9]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN118782704A ,2024-10-15

[10]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 ;

顾伟 .

中国专利 :CN117457825A ,2024-01-26

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