碳化硅基集成肖特基的功率器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410997348.6

申请日：

2024-07-24

公开(公告)号：

CN118943193A

公开(公告)日：

2024-11-12

发明(设计)人：

刘国梁朱斯天樊永辉许明伟樊晓兵

申请人：

深圳市汇芯通信技术有限公司

申请人地址：

518000 广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园4栋1001

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/423 H01L21/336

代理机构：

深圳国新南方知识产权代理有限公司 44374

代理人：

李小东

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广东省深圳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20240724
2024-11-12	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅基集成多晶异质结的功率器件及其制备方法 [P].

刘国梁 ;

覃翠芳 ;

樊永辉 ;

许明伟 ;

樊晓兵 .

中国专利 :CN118943192A ,2024-11-12

[2]

碳化硅基H型栅功率器件及其制备方法 [P].

刘国梁 ;

郭汉玉 ;

樊永辉 ;

许明伟 ;

樊晓兵 .

中国专利 :CN118943189A ,2024-11-12

[3]

碳化硅基H型栅与接地势垒集成的功率器件及其制备方法 [P].

刘国梁 ;

覃翠芳 ;

樊永辉 ;

许明伟 ;

樊晓兵 .

中国专利 :CN118943191A ,2024-11-12

[4]

碳化硅基浮空背势垒栅功率器件及其制备方法 [P].

刘国梁 ;

郭汉玉 ;

樊永辉 ;

许明伟 ;

樊晓兵 .

中国专利 :CN118943190A ,2024-11-12

[5]

碳化硅基浮空背势垒栅功率器件及其制备方法 [P].

刘国梁 ;

郭汉玉 ;

樊永辉 ;

许明伟 ;

樊晓兵 .

中国专利 :CN118943190B ,2025-10-03

[6]

碳化硅基集成半导体器件及其制备方法 [P].

陈德朋 ;

蒋正勇 .

中国专利 :CN119008677A ,2024-11-22

[7]

栅集成肖特基接触和欧姆接触的碳化硅MOSFET及其制备方法 [P].

刘国梁 ;

朱斯天 ;

樊永辉 ;

许明伟 ;

樊晓兵 .

中国专利 :CN118943194A ,2024-11-12

[8]

栅集成肖特基接触和欧姆接触的碳化硅MOSFET及其制备方法 [P].

刘国梁 ;

朱斯天 ;

樊永辉 ;

许明伟 ;

樊晓兵 .

中国专利 :CN118943194B ,2025-10-03

[9]

碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法 [P].

杜蕾 ;

张学强 ;

和巍巍 .

中国专利 :CN119049972A ,2024-11-29

[10]

一种碳化硅功率器件及其制备方法 [P].

李学会 .

中国专利 :CN120603268A ,2025-09-05

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