一种基于FPGA控制的铌酸锂偏振控制器系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411115781.9

申请日：

2024-08-14

公开(公告)号：

CN118842532A

公开(公告)日：

2024-10-25

发明(设计)人：

李响李素娟李学帅

申请人：

云南德通科技有限公司

申请人地址：

650000 云南省昆明市西山区环城南路668号云纺东南亚商城A幢21层A2103号

IPC主分类号：

H04B10/61

IPC分类号：

H04B10/50

代理机构：

昆明盛鼎宏图知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 53203

代理人：

王辉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

云南省昆明市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-12	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H04B 10/61申请日:20240814
2024-10-25	公开	公开

共 50 条

[1]

一种基于薄膜铌酸锂的偏振控制器及其应用 [P].

张祖琛 ;

陈思妍 ;

宋凝芳 ;

郭治宇 ;

王晓伟 .

中国专利 :CN118276233A ,2024-07-02

[2]

一种基于薄膜铌酸锂的偏振控制器及其应用 [P].

张祖琛 ;

陈思妍 ;

宋凝芳 ;

郭治宇 ;

王晓伟 .

中国专利 :CN118276233B ,2025-07-29

[3]

一种钛扩散铌酸锂薄膜偏振控制器 [P].

华平壤 ;

姜城 .

中国专利 :CN205750173U ,2016-11-30

[4]

基于铌酸锂薄膜的集成高速偏振控制器及制备方法 [P].

李炽均 ;

郑智文 ;

郭昌建 ;

陈朋鑫 ;

刘柳 .

中国专利 :CN112748589B ,2021-05-04

[5]

铌酸锂偏振控制器特性指标的测试方法及测试系统 [P].

李淼淼 ;

蒋炎 ;

华勇 ;

田自君 ;

杨春红 .

中国专利 :CN120335426A ,2025-07-18

[6]

一种钛扩散铌酸锂薄膜偏振控制器及其制造方法 [P].

华平壤 ;

陈朝夕 ;

许晴 .

中国专利 :CN108803091A ,2018-11-13

[7]

可减小铌酸锂偏振控制器偏置电压的结构及制备方法 [P].

华勇 ;

李淼淼 ;

张洪波 ;

冯毓 .

中国专利 :CN117518532A ,2024-02-06

[8]

一种基于铌酸锂薄膜的偏振分束器 [P].

尹志军 ;

吕梦成 ;

叶志霖 ;

崔国新 ;

汤济 ;

石家康 ;

成钊宇 ;

沈厚军 ;

许启诚 .

中国专利 :CN117555075A ,2024-02-13

[9]

集成偏振控制器系统 [P].

克里斯托弗·T·法尔 .

美国专利 :CN119137516A ,2024-12-13

[10]

一种基于薄膜铌酸锂的偏振控制装置及方法 [P].

蔡鑫伦 ;

林艳梅 .

中国专利 :CN114527586A ,2022-05-24

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