使用擦除码纠正双列直插式存储器模块(DIMM)中不可纠正的存储器错误

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410079876.3

申请日：

2024-01-19

公开(公告)号：

CN119003229A

公开(公告)日：

2024-11-22

发明(设计)人：

法布里斯·爱登阿米尔·穆拉

申请人：

谷歌有限责任公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

G06F11/10

IPC分类号：

代理机构：

上海华诚知识产权代理有限公司 31300

代理人：

肖华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G06F 11/10申请日:20240119
2024-11-22	公开	公开

共 50 条

[1]

双列直插式存储器模块（DIMM）连接器 [P].

R·W·小贝里 ;

R·J·彭宁顿 ;

J·D·亨德森 ;

D·库马 .

中国专利 :CN106462519A ,2017-02-22

[2]

保持双列直插式存储器模块 [P].

P·耿 ;

G·韦尔吉斯 ;

X·李 .

中国专利 :CN111984070A ,2020-11-24

[3]

双列直插式存储模块中的相变存储器 [P].

谢库费·卡瓦米 ;

贾里德·E·赫尔伯特 .

中国专利 :CN101957726B ,2011-01-26

[4]

双列直插式存储器模块（DIMM）可编程加速卡 [P].

S·拉加瓦 ;

D·苏巴雷迪 ;

K·普拉萨德 ;

A·那拉马尔普 ;

H·古普塔 .

中国专利 :CN110851378A ,2020-02-28

[5]

近存储器处理双列直插式存储器模块及其操作方法 [P].

E.M.帕蒂亚卡拉汤姆布拉 ;

P.V.马亨德拉卡 ;

苏镇麟 ;

李宗键 .

中国专利 :CN115374031A ,2022-11-22

[6]

处理大容量存储器中的不可纠正的数据错误的系统和方法 [P].

李舒 .

中国专利 :CN111274061A ,2020-06-12

[7]

非易失性双列直插式存储器模块中的交叉点阵列存储器 [P].

E·麦格劳克林 ;

戴颖煜 ;

S·米塔尔 .

美国专利 :CN112136178B ,2025-01-07

[8]

非易失性双列直插式存储器模块中的交叉点阵列存储器 [P].

E·麦格劳克林 ;

戴颖煜 ;

S·米塔尔 .

美国专利 :CN119763629A ,2025-04-04

[9]

非易失性双列直插式存储器模块中的交叉点阵列存储器 [P].

E·麦格劳克林 ;

戴颖煜 ;

S·米塔尔 .

中国专利 :CN112136178A ,2020-12-25

[10]

支持在专用于存储错误校正码(ECC)的ECC存储单元中的数据指示符的存储的双列直插式存储器模块(DIMM) [P].

迈克尔·雷蒙德·特朗布利 .

中国专利 :CN107209703A ,2017-09-26

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