一种二氧化硅陶瓷的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411019384.1

申请日：

2024-07-29

公开(公告)号：

CN118930235A

公开(公告)日：

2024-11-12

发明(设计)人：

张芸芸王勇曹继伟刘于青何玉玉罗凯剡秀秀李天才

申请人：

共享智能装备（安徽）有限公司

申请人地址：

241204 安徽省芜湖市繁昌县繁昌经济开发区春谷3D打印产业园

IPC主分类号：

C04B35/14

IPC分类号：

C04B35/622 C04B35/64 C04B35/628 B33Y10/00 B33Y70/10

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

安徽省安庆市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-12	公开	公开
2024-11-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/14申请日:20240729
2025-08-08	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):C04B 35/14变更事项:申请人变更前:共享智能装备（安徽）有限公司变更后:共享智能装备（安徽）股份有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:安徽省芜湖市繁昌县繁昌经济开发区春谷3D打印产业园变更后:241200 安徽省芜湖市繁昌区繁昌经济开发区春谷3D打印产业园

共 50 条

[1]

一种纳米二氧化硅的制备方法 [P].

杨莲龙 ;

杨刚 ;

吴世旺 .

中国专利 :CN114408934A ,2022-04-29

[2]

二氧化硅颗粒以及二氧化硅颗粒的制备方法 [P].

奥野广良 ;

井上敏司 ;

饭田能史 ;

中岛与人 ;

钱谷优香 ;

惠利祥史 ;

角仓康夫 ;

师冈泰久 ;

野崎骏介 ;

岩永猛 ;

竹内荣 .

中国专利 :CN106517214A ,2017-03-22

[3]

多孔二氧化硅的制备方法以及多孔二氧化硅 [P].

今井宏明 ;

绪明佑哉 ;

渡辺洋人 .

中国专利 :CN102834355B ,2012-12-19

[4]

一种改性二氧化硅的方法、改性二氧化硅及应用 [P].

张立群 ;

韩冬礼 ;

肖亚轲 ;

叶欣 ;

王益庆 ;

吴晓辉 .

中国专利 :CN111454591A ,2020-07-28

[5]

二氧化硅的制备方法 [P].

陈华伦 ;

陈瑜 ;

熊涛 ;

罗啸 ;

陈雄斌 .

中国专利 :CN101442019A ,2009-05-27

[6]

二氧化硅的制备方法 [P].

李协昱 ;

刘信利 ;

叶鉴毅 .

中国专利 :CN112811433A ,2021-05-18

[7]

二氧化硅的制备方法 [P].

L·P·何 ;

R·拉曼 ;

D·玛施克 ;

J·雷讷 ;

A·胡斯玛彻 ;

C·普茨 ;

H·塔斯托 .

德国专利 :CN120081387A ,2025-06-03

[8]

一种制备片状二氧化硅粉末的方法 [P].

章林 .

中国专利 :CN104803391A ,2015-07-29

[9]

多孔二氧化硅 [P].

张士福 ;

杨运信 ;

张丽斌 ;

宋朝红 ;

姚喆 ;

查晓钟 ;

秦群英 .

中国专利 :CN101885488B ,2010-11-17

[10]

二氧化硅 [P].

于尔根·迈尔 ;

斯特凡妮·弗拉恩 ;

曼弗雷德·埃特林格 .

中国专利 :CN100445336C ,2005-10-05

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