氧化铝陶瓷基片及其制备方法及应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411033556.0

申请日：

2024-07-30

公开(公告)号：

CN118993708A

公开(公告)日：

2024-11-22

发明(设计)人：

胡传灯邢增凯李珊珊

申请人：

广东环波新材料有限责任公司深圳市环波科技有限责任公司

申请人地址：

523000 广东省东莞市松山湖园区兴业路2号12栋603室

IPC主分类号：

C04B35/111

IPC分类号：

C04B35/622

代理机构：

深圳市恒程创新知识产权代理有限公司 44542

代理人：

张睿

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广东省东莞市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/111申请日:20240730
2024-11-22	公开	公开

共 50 条

[1]

大尺寸、高平整性、高强度氧化铝陶瓷基片及其制备方法 [P].

周铭 ;

谈红霞 ;

张玺 ;

罗小桥 ;

赵剑 ;

赵延祥 .

中国专利 :CN119285337A ,2025-01-10

[2]

一种氧化铝陶瓷材料的制备方法及氧化铝陶瓷基片 [P].

高朋召 ;

刘小磐 ;

郑航博 ;

王垣力 .

中国专利 :CN113185268B ,2021-07-30

[3]

氧化铝陶瓷基片及其制造方法 [P].

郑双喜 ;

陈江涛 ;

胡海涛 .

中国专利 :CN117383909A ,2024-01-12

[4]

氧化铝陶瓷基片及其制造方法 [P].

郑双喜 ;

陈江涛 ;

胡海涛 .

中国专利 :CN117383909B ,2025-12-26

[5]

快速响应的IGBT模块用高导热氧化铝陶瓷基片及其制备方法 [P].

周大稳 ;

李茂 ;

张玺 ;

张寒 ;

王辉 ;

罗小桥 .

中国专利 :CN119320267B ,2025-12-12

[6]

快速响应的IGBT模块用高导热氧化铝陶瓷基片及其制备方法 [P].

周大稳 ;

李茂 ;

张玺 ;

张寒 ;

王辉 ;

罗小桥 .

中国专利 :CN119320267A ,2025-01-17

[7]

99.6%氧化铝陶瓷薄膜基片的制备方法 [P].

陈凤宇 ;

朴元日 .

中国专利 :CN102464486A ,2012-05-23

[8]

99.6%氧化铝陶瓷薄膜基片 [P].

陈凤宇 ;

朴元日 .

中国专利 :CN102464485A ,2012-05-23

[9]

氧化铝陶瓷基片组 [P].

秦乐宁 ;

龚卫忠 ;

邓磊 ;

谢怀婷 .

中国专利 :CN202996808U ,2013-06-12

[10]

多孔氧化铝陶瓷及其制备方法和应用 [P].

黎海华 ;

向其军 ;

谭毅成 .

中国专利 :CN107200599B ,2017-09-26

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