一种双向可控硅过压保护电路和固态断路器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411214106.1

申请日：

2024-08-31

公开(公告)号：

CN119093272A

公开(公告)日：

2024-12-06

发明(设计)人：

赖耀康薛聚曹玉峰王震辛振

申请人：

北京市科通电子继电器总厂有限公司河北工业大学

申请人地址：

102600 北京市大兴区北京经济技术开发区凉水河一街2号院1号楼9层

IPC主分类号：

H02H3/20

IPC分类号：

H02H3/02 H02H9/04 H03K17/72

代理机构：

北京维正专利代理有限公司 11508

代理人：

杨叁

法律状态：

公开

国省代码：

安徽省宣城市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-06	公开	公开
2024-12-24	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H02H 3/20申请日:20240831

共 50 条

[1]

一种基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路 [P].

黄善兵 ;

翟建光 ;

甘彦君 .

中国专利 :CN202856306U ,2013-04-03

[2]

一种基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路 [P].

黄善兵 ;

翟建光 ;

甘彦君 .

中国专利 :CN102882181B ,2013-01-16

[3]

一种基于单向可控硅的过压保护电路 [P].

侯飞燕 .

中国专利 :CN205693352U ,2016-11-16

[4]

一种双侧双向固态断路器电路 [P].

江壮贤 ;

李一凡 ;

徐高东 .

中国专利 :CN119965809A ,2025-05-09

[5]

一种双向可控硅的保护电路 [P].

肖培荣 .

中国专利 :CN201541121U ,2010-08-04

[6]

一种双侧双向固态断路器电路 [P].

江壮贤 ;

李一凡 ;

徐高东 .

中国专利 :CN119965809B ,2025-06-24

[7]

一种兼容断路器双向可控硅阀组结构 [P].

杨东亮 ;

张琦 ;

袁恩 .

中国专利 :CN221897211U ,2024-10-25

[8]

一种过流可控硅保护电路 [P].

张永清 .

中国专利 :CN202444239U ,2012-09-19

[9]

固态断路器的浪涌保护电路和固态断路器 [P].

谢飞 ;

姚震 .

中国专利 :CN220527684U ,2024-02-23

[10]

一种双向BJT固态断路器及其驱动电路 [P].

杨旭 ;

杨浩 ;

朱晋 ;

雷宇 ;

吴海波 ;

姚其新 ;

刘芳 ;

范可 .

中国专利 :CN120601872B ,2025-11-18

← 1 2 3 4 5 →