半导体器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010973871.7

申请日：

2020-09-16

公开(公告)号：

CN114267640B

公开(公告)日：

2024-10-25

发明(设计)人：

陆勇吴公一沈宏坤庞秋虎

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省宣城市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-25	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其制备方法 [P].

陆勇 ;

吴公一 ;

沈宏坤 ;

庞秋虎 .

中国专利 :CN114267640A ,2022-04-01

[2]

半导体器件及其制备方法 [P].

王晓日 ;

冒义祥 .

中国专利 :CN107785256A ,2018-03-09

[3]

半导体器件及其制备方法 [P].

陈永 ;

董天化 ;

吴亮 ;

金岚 ;

包小燕 .

中国专利 :CN107527953B ,2017-12-29

[4]

半导体器件及其制备方法 [P].

吴公一 ;

陆勇 ;

于有权 .

中国专利 :CN114078748A ,2022-02-22

[5]

半导体器件及其制备方法 [P].

吴公一 ;

陆勇 ;

于有权 .

中国专利 :CN114078748B ,2024-08-09

[6]

半导体器件及其制备方法 [P].

李玉坤 .

中国专利 :CN114446886B ,2024-10-18

[7]

半导体器件及其制备方法 [P].

李玉坤 ;

陈涛 .

中国专利 :CN114078764A ,2022-02-22

[8]

半导体器件及其制备方法 [P].

吴公一 ;

陆勇 ;

辛欣 .

中国专利 :CN114373718A ,2022-04-19

[9]

半导体器件及其制备方法 [P].

安重镒 ;

李相遇 ;

金成基 ;

李亭亭 ;

项金娟 ;

蒋浩杰 ;

罗英 ;

丁云凌 .

中国专利 :CN114628333A ,2022-06-14

[10]

半导体器件及其制备方法 [P].

古立亮 ;

罗清威 ;

魏丹清 .

中国专利 :CN117542871A ,2024-02-09

← 1 2 3 4 5 →