形成半导体器件的方法和半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110341037.0

申请日：

2021-03-30

公开(公告)号：

CN113380707B

公开(公告)日：

2024-11-12

发明(设计)人：

刘格成李明轩郑铭龙刘昌淼

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L21/8234

IPC分类号：

H01L21/8238 H01L27/088 H01L27/092

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-12	授权	授权

共 50 条

[1]

形成半导体器件的方法和半导体结构 [P].

刘格成 ;

李明轩 ;

郑铭龙 ;

刘昌淼 .

中国专利 :CN113380707A ,2021-09-10

[2]

形成半导体结构的方法和半导体器件 [P].

金成玟 ;

姜智秀 ;

李东奎 ;

车东镐 .

中国专利 :CN104051270A ,2014-09-17

[3]

形成半导体器件的方法和半导体结构 [P].

廖忠志 .

中国专利 :CN120224715A ,2025-06-27

[4]

形成半导体器件的方法和半导体结构 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

关恕 ;

李承翰 .

中国专利 :CN114765134A ,2022-07-19

[5]

半导体结构和形成半导体器件的方法 [P].

王志庆 ;

苏佳莹 ;

谢文兴 ;

程冠伦 ;

吴忠纬 ;

吴志强 .

中国专利 :CN113571471B ,2024-11-15

[6]

半导体结构和形成半导体器件的方法 [P].

赖昇志 .

中国专利 :CN113258000B ,2025-01-07

[7]

半导体结构和形成半导体器件的方法 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

张正伟 .

中国专利 :CN114464617A ,2022-05-10

[8]

半导体结构和形成半导体器件的方法 [P].

江宏礼 ;

黄思维 ;

魏焕昇 ;

何炯煦 ;

叶致锴 ;

谢文兴 ;

吴忠政 ;

杨育佳 .

中国专利 :CN108122774B ,2018-06-05

[9]

半导体结构和形成半导体器件的方法 [P].

王志庆 ;

苏佳莹 ;

谢文兴 ;

程冠伦 ;

吴忠纬 ;

吴志强 .

中国专利 :CN113571471A ,2021-10-29

[10]

半导体结构和形成半导体器件的方法 [P].

赖昇志 .

中国专利 :CN113258000A ,2021-08-13

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