半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置[ja]

被引：0

申请号：

JP20230051438

申请日：

2023-03-28

公开(公告)号：

JP2024140342A

公开(公告)日：

2024-10-10

发明(设计)人：

YOSHIDA KAZUTERU FUJIWARA MASAHIRO TAKAHASHI MASAYUKI

申请人：

KANEKA CORP

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L27/146

IPC分类号：

H01L21/56 H01L23/02

代理机构：

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法律状态信息

共 50 条

[1]

半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2009147828A1 ,2011-10-20

[2]

半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016189986A1 ,2018-03-15

[3]

半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019026266A1 ,2020-06-18

[4]

半導体装置の製造方法[ja] [P].

ITAGAKI KEI ;

TANIGUCHI KOHEI ;

HARADA YUTA .

日本专利 :JP2023176508A ,2023-12-13

[5]

半導体装置およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2008032404A1 ,2010-01-21

[6]

半導体装置の製造方法、半導体装置の同一性判定方法、および半導体装置の製造システム[ja] [P].

日本专利 :JP7664503B1 ,2025-04-17

[7]

半導体装置の製造方法、半導体装置の同一性判定方法、および半導体装置の製造システム[ja] [P].

MATSUNO SAYAKA ;

TAKANO TAKESHI .

日本专利 :JP2025089586A ,2025-06-12

[8]

半導体装置及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2007043152A1 ,2009-04-16

[9]

硬化膜の製造方法、積層体の製造方法および半導体素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017209177A1 ,2019-03-22

[10]

積層体の製造方法、半導体素子の製造方法および積層体[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017209176A1 ,2019-05-23

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