一种氟化钇深紫外双折射晶体的生长方法和应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411226897.X
申请日
2024-09-03
公开(公告)号
CN118996600A
公开(公告)日
2024-11-22
发明(设计)人
潘世烈 杨志华 谢聪伟 阿布都卡地·吐地
申请人
中国科学院新疆理化技术研究所
申请人地址
830011 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市北京南路40号附1号
IPC主分类号
C30B11/00
IPC分类号
C30B29/12 G02B1/08
代理机构
乌鲁木齐中科新兴专利事务所(普通合伙) 65106
代理人
张莉
法律状态
实质审查的生效
国省代码
北京市
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共 50 条
[1]
一种三碘化铯双折射晶体的生长方法和应用 [P]. 
潘世烈 ;
杨志华 ;
谢聪伟 ;
阿布都卡地·吐地 .
中国专利 :CN119411209A ,2025-02-11
[2]
可用于紫外深紫外的硼酸盐双折射晶体及生长方法和用途 [P]. 
李如康 ;
马营营 .
中国专利 :CN102839421B ,2012-12-26
[3]
磷酸钇双折射晶体及其生长方法和应用 [P]. 
潘世烈 ;
王颖 .
中国专利 :CN105568381A ,2016-05-11
[4]
一种硼酸钡钙双折射晶体及生长方法和用途 [P]. 
李如康 ;
张宁宁 .
中国专利 :CN102677171A ,2012-09-19
[5]
一种无机双折射晶体及其制备、生长方法和应用 [P]. 
吴佳航 ;
孔芳 ;
毛江高 .
中国专利 :CN117385460A ,2024-01-12
[6]
一种氟硼酸钡钠紫外双折射晶体及生长方法和用途 [P]. 
李如康 ;
王幸 .
中国专利 :CN103849932B ,2014-06-11
[7]
硼酸锂双折射晶体的制备方法和用途 [P]. 
潘世烈 ;
陈幸龙 ;
张方方 .
中国专利 :CN106811795A ,2017-06-09
[8]
用于紫外波段的硼酸盐双折射晶体及生长方法和用途 [P]. 
李如康 ;
高昕 .
中国专利 :CN103074684A ,2013-05-01
[9]
大尺寸胍基四氟硼酸盐双折射晶体及生长方法和用途 [P]. 
潘世烈 ;
韩健 ;
龙西法 ;
米日丁·穆太力普 ;
杨志华 .
中国专利 :CN115874289B ,2024-11-15
[10]
一种新型紫外双折射晶体制备方法及用途 [P]. 
吕宪顺 ;
张园园 ;
邱程程 ;
王旭平 ;
刘冰 ;
杨玉国 ;
安业同 .
中国专利 :CN111910250A ,2020-11-10