半导体结构、半导体结构的制备方法和半导体器件

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专利类型
发明
申请号
CN202411438312.0
申请日
2024-10-15
公开(公告)号
CN118969820A
公开(公告)日
2024-11-15
发明(设计)人
李理
申请人
珠海格力电子元器件有限公司 珠海格力电器股份有限公司
申请人地址
519085 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层428室(集中办公区)
IPC主分类号
H01L29/06
IPC分类号
H01L29/861 H01L21/329
代理机构
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240
代理人
崔雅茹
法律状态
实质审查的生效
国省代码
广东省 珠海市
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共 50 条
[1]
半导体结构、半导体结构的制备方法和半导体器件 [P]. 
李理 .
中国专利 :CN118969820B ,2025-02-07
[2]
半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体器件 [P]. 
唐松 ;
杨国文 ;
赵卫东 .
中国专利 :CN112152085B ,2020-12-29
[3]
半导体结构的制备方法、半导体结构、半导体器件 [P]. 
黄厚恒 ;
宋富冉 ;
周儒领 .
中国专利 :CN120076391A ,2025-05-30
[4]
制备半导体结构的方法、半导体结构及半导体器件 [P]. 
杨国文 ;
惠利省 .
中国专利 :CN114783869A ,2022-07-22
[5]
半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P]. 
吴恒 ;
卢浩然 ;
刘煜 ;
葛延栋 ;
王润声 ;
黎明 ;
黄如 .
中国专利 :CN118039565A ,2024-05-14
[6]
半导体结构、半导体结构的制备方法及半导体器件 [P]. 
谷强 ;
郭宏瑞 ;
韩为鹏 ;
黄其伟 .
中国专利 :CN115050750B ,2025-02-25
[7]
半导体结构、半导体器件及半导体结构的制备方法 [P]. 
吴保润 ;
刘忠明 ;
杨孝东 .
中国专利 :CN118159023A ,2024-06-07
[8]
半导体结构、半导体器件及半导体结构的制备方法 [P]. 
刘洋浩 ;
徐朋辉 ;
尹国旭 ;
刘涛 ;
薛鹍 ;
王宁 .
中国专利 :CN121194461A ,2025-12-23
[9]
半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P]. 
吴恒 ;
褚衍邦 ;
卢浩然 ;
王润声 ;
黄如 .
中国专利 :CN119400751A ,2025-02-07
[10]
半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P]. 
吴恒 ;
张磊 ;
兰川 ;
黎明 ;
王润声 ;
黄如 .
中国专利 :CN120497252A ,2025-08-15