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半导体抛光垫

被引：0
专利类型：
外观设计
申请号：
CN202430051961.X
申请日：
2024-01-25
公开(公告)号：
CN308980416S
公开(公告)日：
2024-12-03
发明(设计)人：
阚开乐
申请人：
深圳市鑫德普科技有限公司
申请人地址：
518000 广东省深圳市龙华区民治街道民治社区沙吓工业区11栋301(一照多址企业)
IPC主分类号：
08-05
IPC分类号：
代理机构：
深圳市盛果果知识产权代理事务所(普通合伙) 44756
代理人：
吴俊莹
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-12-03 授权 授权
共 50 条
[1]
半导体基材的抛光垫 [P]. 
斯利拉姆·P·安朱 ;
罗兰·K·塞维拉 ;
弗兰克·B·考夫曼 .
中国专利 :CN1316940A ,2001-10-10
[2]
半导体基材的抛光垫 [P]. 
斯利拉姆·P·安朱 ;
威廉·C·唐宁 .
中国专利 :CN1316939A ,2001-10-10
[3]
半导体晶片用抛光垫的加工方法以及半导体晶片用抛光垫 [P]. 
志保浩司 ;
长谷川亨 ;
川桥信夫 .
中国专利 :CN1592955A ,2005-03-09
[4]
用于抛光半导体基材的软性抛光垫 [P]. 
W·阿利森 ;
D·斯科特 ;
R·科普里希 ;
P·黄 ;
R·弗伦泽尔 .
中国专利 :CN103097080A ,2013-05-08
[5]
抛光垫及抛光半导体晶片的方法 [P]. 
青井裕美 ;
志保浩司 ;
长谷川亨 ;
川桥信夫 .
中国专利 :CN1569398A ,2005-01-26
[6]
抛光垫以及抛光半导体晶片的方法 [P]. 
J·施万德纳 ;
R·柯普尔特 .
中国专利 :CN101927455B ,2010-12-29
[7]
抛光垫和使用抛光垫制备半导体器件的方法 [P]. 
尹钟旭 ;
许惠暎 ;
安宰仁 ;
金京焕 .
中国专利 :CN114083432A ,2022-02-25
[8]
抛光垫和使用抛光垫制备半导体器件的方法 [P]. 
尹钟旭 ;
许惠暎 ;
安宰仁 ;
金京焕 .
韩国专利 :CN119795027A ,2025-04-11
[9]
具有抛光垫温度控制的半导体衬底抛光 [P]. 
池田正章 .
中国专利 :CN115699250A ,2023-02-03
[10]
抛光垫、抛光垫的制备方法及半导体器件的制造方法 [P]. 
尹钟旭 ;
许惠暎 ;
郑恩先 ;
安宰仁 .
中国专利 :CN114762953A ,2022-07-19
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