SOI LDMOS与SGT集成器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410780434.1

申请日：

2024-06-17

公开(公告)号：

CN118888553A

公开(公告)日：

2024-11-01

发明(设计)人：

张祥陈天陈华伦王黎肖莉

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H01L27/12

IPC分类号：

H01L21/84 H01L29/78

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

赵薇

法律状态：

公开

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-01	公开	公开
2024-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/12申请日:20240617

共 50 条

[1]

SGT器件的制造方法 [P].

齐笑 ;

许铭源 ;

张蕾 ;

潘嘉 ;

杨继业 .

中国专利 :CN118471814A ,2024-08-09

[2]

SGT器件制造方法 [P].

王丽 ;

刘秀勇 ;

卫乐平 ;

许晨强 ;

马栋 .

中国专利 :CN118280841A ,2024-07-02

[3]

SGT MOS器件的制造方法 [P].

王丽 ;

刘秀勇 ;

马栋 ;

张继亮 .

中国专利 :CN118538673A ,2024-08-23

[4]

SGT与BCD集成器件的制造方法 [P].

陈华伦 ;

龙致远 ;

陈晨 ;

徐爱斌 ;

王黎 ;

何兴月 .

中国专利 :CN121126853A ,2025-12-12

[5]

SOI LDMOS器件及其制造方法 [P].

杨留鹏 ;

张磊 ;

王晓日 ;

王函 ;

陈广龙 .

中国专利 :CN118248733A ,2024-06-25

[6]

SOI LDMOS器件及其制造方法 [P].

杨留鹏 ;

张磊 ;

刘张李 ;

王晓日 ;

王函 ;

陈广龙 .

中国专利 :CN119907270A ,2025-04-29

[7]

SGT器件及其制造方法 [P].

邱立军 ;

卫乐平 ;

吴珂 ;

万启航 ;

钱佳成 ;

刘秀勇 .

中国专利 :CN119133242A ,2024-12-13

[8]

SOI BCD工艺集成SGT器件的制造方法 [P].

陈晨 ;

陈天 ;

肖莉 ;

王黎 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN119208257A ,2024-12-27

[9]

半导体集成器件制造方法 [P].

顾靖 ;

孔蔚然 ;

于世瑞 .

中国专利 :CN102332432B ,2012-01-25

[10]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

许昭昭 .

中国专利 :CN114566540A ,2022-05-31

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