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制造半导体装置的方法、多栅极半导体装置及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410189506.5
申请日：
2024-02-20
公开(公告)号：
CN118888444A
公开(公告)日：
2024-11-01
发明(设计)人：
林汶儀
胡希圣
朱崇豪
陈朝祺
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址：
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
IPC主分类号：
H01L21/336
IPC分类号：
H01L21/28
H01L29/423
H01L29/06
H01L29/08
H01L29/10
H01L29/78
代理机构：
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006
代理人：
徐金国
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-11-01 | 公开 | 公开 |
| 2024-11-19 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20240220 |