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半导体结构及其形成方法、存储器

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202310429229.6
申请日：
2023-04-17
公开(公告)号：
CN118870799A
公开(公告)日：
2024-10-29
发明(设计)人：
李思嘉 唐怡 王艳琴 尤康
申请人：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H10B12/00
IPC分类号：
H10B10/00
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
安徽省 宣城市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-09-26 授权 授权
2024-10-29 公开 公开
2024-11-15 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20230417
共 50 条
[1]
半导体结构及其形成方法、存储器 [P]. 
李思嘉 ;
唐怡 ;
王艳琴 ;
尤康 .
中国专利 :CN118870799B ,2025-09-26
[2]
半导体结构及其形成方法、存储器 [P]. 
魏宏宇 ;
田灿灿 ;
陶韬 ;
许奕佳 ;
吴亚茹 ;
李春晓 .
中国专利 :CN120568761A ,2025-08-29
[3]
半导体结构及其形成方法、存储器 [P]. 
邵波 ;
陈骑龙 ;
陈军 .
中国专利 :CN118660448A ,2024-09-17
[4]
存储器件、半导体结构及其形成方法 [P]. 
李世鸿 .
中国专利 :CN114823310A ,2022-07-29
[5]
半导体结构及其形成方法、存储器 [P]. 
廖昱程 .
中国专利 :CN118042825A ,2024-05-14
[6]
半导体结构及其形成方法、存储器 [P]. 
宛伟 ;
刘梅花 .
中国专利 :CN118039473A ,2024-05-14
[7]
半导体结构及其形成方法、存储器 [P]. 
李晓杰 .
中国专利 :CN117395987A ,2024-01-12
[8]
半导体结构及其形成方法、存储器 [P]. 
邵光速 ;
肖德元 .
中国专利 :CN114927481A ,2022-08-19
[9]
半导体结构及其形成方法、存储器 [P]. 
陆勇 ;
陈晓鹏 ;
宋小杰 ;
孙闯 .
中国专利 :CN117794237A ,2024-03-29
[10]
半导体结构及其形成方法、存储器 [P]. 
崔兆培 ;
宋影 .
中国专利 :CN114864390A ,2022-08-05
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