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ナノシート・デバイス用の厚膜ゲート酸化物デバイス選択[ja]
被引:0
申请号
:
JP20220563237
申请日
:
2022-05-07
公开(公告)号
:
JP2024522411A
公开(公告)日
:
2024-06-21
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/336
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
シート及び蓄電デバイス[ja]
[P].
YAMAGUCHI AKIHIRO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
NGK SPARK PLUG CO
NGK SPARK PLUG CO
YAMAGUCHI AKIHIRO
;
WATANABE YUTAKA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
NGK SPARK PLUG CO
NGK SPARK PLUG CO
WATANABE YUTAKA
;
IWASAKI MASATAKA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
NGK SPARK PLUG CO
NGK SPARK PLUG CO
IWASAKI MASATAKA
.
日本专利
:JP2025077103A
,2025-05-19
[2]
ナノ粒子ベースの可変透過デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2021515274A
,2021-06-17
[3]
ナノ粒子ベースの可変透過デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2022040289A
,2022-03-10
[4]
ゲートオールアラウンドデバイスの形成[ja]
[P].
日本专利
:JP2023547098A
,2023-11-09
[5]
DRAMデバイス、DRAMデバイスを形成する方法及びゲート酸化物層を形成する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7176951B2
,2022-11-22
[6]
ディスプレイ・デバイスのためのバリア材料[ja]
[P].
日本专利
:JP2015515744A
,2015-05-28
[7]
金属酸化物半導体ベースの発光デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2023525101A
,2023-06-14
[8]
バナデート系複合酸化物の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5737954B2
,2015-06-17
[9]
バナデート系複合酸化物の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5611693B2
,2014-10-22
[10]
OLEDデバイス用の導電性酸化物オーバーハング構造[ja]
[P].
日本专利
:JP2024518760A
,2024-05-02
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