薄膜晶体管及电子设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380025327.1

申请日：

2023-02-20

公开(公告)号：

CN118805263A

公开(公告)日：

2024-10-18

发明(设计)人：

渡壁创津吹将志佐佐木俊成田丸尊也川嶋绘美霍间勇辉佐佐木大地

申请人：

株式会社日本显示器出光兴产株式会社

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L21/363 H01L21/336

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

韩雪莲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-05	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/786申请日:20230220
2024-10-18	公开	公开

共 50 条

[1]

薄膜晶体管及电子设备 [P].

渡壁创 ;

津吹将志 ;

佐佐木俊成 ;

田丸尊也 ;

川嶋绘美 ;

霍间勇辉 ;

佐佐木大地 .

日本专利 :CN118830088A ,2024-10-22

[2]

薄膜晶体管及电子设备 [P].

渡壁创 ;

津吹将志 ;

佐佐木俊成 ;

田丸尊也 ;

川岛绘美 ;

霍间勇辉 ;

佐佐木大地 .

日本专利 :CN119522639A ,2025-02-25

[3]

薄膜晶体管及电子设备 [P].

渡壁创 ;

津吹将志 ;

佐佐木俊成 ;

田丸尊也 ;

望月真里奈 ;

小野寺凉 ;

渡部将弘 ;

川岛绘美 ;

霍间勇辉 ;

佐佐木大地 .

日本专利 :CN120476685A ,2025-08-12

[4]

薄膜晶体管及电子设备 [P].

渡壁创 ;

津吹将志 ;

佐佐木俊成 ;

田丸尊也 ;

望月真里奈 ;

小野寺凉 ;

渡部将弘 ;

川岛绘美 ;

霍间勇辉 ;

佐佐木大地 .

日本专利 :CN120570087A ,2025-08-29

[5]

薄膜晶体管及电子设备 [P].

渡壁创 ;

津吹将志 ;

佐佐木俊成 ;

田丸尊也 ;

川岛绘美 ;

霍间勇辉 ;

佐佐木大地 .

日本专利 :CN119422456A ,2025-02-11

[6]

薄膜晶体管及电子设备 [P].

平井畅一 .

中国专利 :CN103000808A ,2013-03-27

[7]

氧化物半导体膜、薄膜晶体管及电子设备 [P].

渡壁创 ;

津吹将志 ;

佐佐木俊成 ;

田丸尊也 ;

川嶋绘美 ;

霍间勇辉 ;

佐佐木大地 .

日本专利 :CN118872074A ,2024-10-29

[8]

氧化物半导体膜、薄膜晶体管及电子设备 [P].

渡壁创 ;

津吹将志 ;

佐佐木俊成 ;

田丸尊也 ;

川岛绘美 ;

霍间勇辉 ;

佐佐木大地 .

日本专利 :CN119605327A ,2025-03-11

[9]

层叠结构体、薄膜晶体管及电子设备 [P].

渡壁创 ;

津吹将志 ;

佐佐木俊成 ;

田丸尊也 ;

望月真里奈 ;

小野寺凉 ;

渡部将弘 ;

佐佐木大地 ;

川岛绘美 ;

霍间勇辉 .

日本专利 :CN120380859A ,2025-07-25

[10]

薄膜晶体管、薄膜晶体管制造方法及电子设备 [P].

横关弥树博 .

中国专利 :CN103325817A ,2013-09-25

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