一种利用Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/MgO复合烧结助剂低温快速制备AlON透明陶瓷的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310819056.9

申请日：

2023-07-05

公开(公告)号：

CN117024154B

公开(公告)日：

2024-11-29

发明(设计)人：

单英春徐久军魏存马莉娅郭浩然

申请人：

大连海事大学

申请人地址：

116026 辽宁省大连市高新园区凌海路1号

IPC主分类号：

C04B35/582

IPC分类号：

C04B35/64 C04B35/622

代理机构：

大连东方专利代理有限责任公司 21212

代理人：

李娜;李馨

法律状态：

授权

国省代码：

辽宁省锦州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-29	授权	授权

共 50 条

[1]

基于Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-MgSiN<sub>2</sub>复合烧结助剂的氮化硅陶瓷及其制备方法 [P].

刘园 ;

张晓方 ;

刘晓彤 ;

崔岩 ;

屈敏 .

中国专利 :CN120398552A ,2025-08-01

[2]

一种添加纳米Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>快速无压烧结制备高透光性AlON陶瓷的方法 [P].

单英春 ;

郭浩然 ;

徐久军 .

中国专利 :CN117550899A ,2024-02-13

[3]

一种添加纳米Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>快速无压烧结制备高透光性AlON陶瓷的方法 [P].

单英春 ;

郭浩然 ;

徐久军 .

中国专利 :CN117550899B ,2025-07-22

[4]

一种YAG/Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>双晶相复合结构透明陶瓷的制备方法 [P].

张乐 ;

邵岑 ;

邱凡 ;

王彤 ;

李明洲 ;

陈士卫 ;

李贵明 ;

陈浩 .

中国专利 :CN119977547A ,2025-05-13

[5]

一种二元(In,Ga)<sub>2</sub>O<sub>3</sub>透明半导体陶瓷的制备方法 [P].

吕滨 ;

尤博 .

中国专利 :CN118545981A ,2024-08-27

[6]

一种低红外吸收系数Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>透明陶瓷及其制备方法 [P].

王俊 ;

王雪儿 ;

王莹 ;

刘鹏 ;

马杰 ;

章健 ;

沈德元 ;

唐定远 .

中国专利 :CN120329039A ,2025-07-18

[7]

一种大尺寸高强度Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-MgO纳米复相陶瓷的制备方法 [P].

田燕娜 ;

范金太 ;

李恺 ;

童佳 ;

强铭 ;

冯明辉 ;

李严斌 ;

孙炳恒 ;

尹晓蒙 ;

张龙 .

中国专利 :CN121159236A ,2025-12-19

[8]

真空感应熔炼用MgO-Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>坩埚及制备方法和应用 [P].

马颖澈 ;

宋庆忠 ;

查向东 ;

张龙 ;

杜战辉 .

中国专利 :CN120172726A ,2025-06-20

[9]

LiAl<sub>5</sub>O<sub>8</sub>透明陶瓷的低温制备方法 [P].

徐鹏宇 ;

刘新红 ;

贾全利 ;

马成良 .

中国专利 :CN120535302A ,2025-08-26

[10]

一种放电等离子烧结制备Pr<sup>3+</sup>:Y<sub>1.8</sub>La<sub>0.2</sub>O<sub>3</sub>透明陶瓷的方法 [P].

罗军明 ;

黄旭 .

中国专利 :CN119797918A ,2025-04-11

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