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半导体结构及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202310645585.1
申请日：
2023-06-01
公开(公告)号：
CN119069509A
公开(公告)日：
2024-12-03
发明(设计)人：
张焕云
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址：
201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号
IPC主分类号：
H01L29/06
IPC分类号：
H01L29/739
H01L21/331
代理机构：
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327
代理人：
高静
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-12-20 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/06申请日:20230601 |
| 2024-12-03 | 公开 | 公开 |