CuF<sub>2</sub>@void@SEI@SA电极材料及其制备方法和应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410859363.4
申请日
2024-06-28
公开(公告)号
CN118867105A
公开(公告)日
2024-10-29
发明(设计)人
李英奇 周香港 肖姗姗 郎兴友 谭华桥 李阳光
申请人
东北师范大学
申请人地址
130024 吉林省长春市人民大街5268号
IPC主分类号
H01M4/04
IPC分类号
H01M4/58 H01M4/36 H01M10/0525
代理机构
西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223
代理人
苟亚军
法律状态
实质审查的生效
国省代码
山东省 青岛市
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共 50 条
[1]
CuF<sub>2</sub>@void@SEI@SA电极材料及其制备方法和应用 [P]. 
李英奇 ;
周香港 ;
肖姗姗 ;
郎兴友 ;
谭华桥 ;
李阳光 .
中国专利 :CN118867105B ,2025-11-28
[2]
一种SnS<sub>2</sub>@Sn-SA电极材料及制备方法和应用 [P]. 
李英奇 ;
孙赫辰 ;
周香港 ;
谭华桥 ;
李阳光 .
中国专利 :CN119419248A ,2025-02-11
[3]
一种SnS<sub>2</sub>@Sn-SA电极材料及制备方法和应用 [P]. 
李英奇 ;
孙赫辰 ;
周香港 ;
谭华桥 ;
李阳光 .
中国专利 :CN119419248B ,2025-11-25
[4]
一种Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>/FeF<sub>3</sub>@SEI电极材料及其制备方法和应用 [P]. 
李天一 ;
李英奇 ;
谢彩月 ;
姚瑞琪 ;
李阳光 .
中国专利 :CN120221623A ,2025-06-27
[5]
一种泡沫镍支撑Ni/TiO<sub>2</sub>@CdS-Ni<sub>3</sub>S<sub>2</sub>光电极材料及其制备和应用 [P]. 
杨思源 ;
杨甜珍 ;
张扬 ;
李锡桂 ;
张声森 ;
高琼芝 ;
蔡欣 ;
方岳平 .
中国专利 :CN118099406A ,2024-05-28
[6]
一种MOF衍生SnO<sub>2</sub>的制备方法和应用 [P]. 
徐斌 ;
李延泽 ;
朱奇珍 ;
常夏青 .
中国专利 :CN115259210B ,2024-02-02
[7]
一种TiO<sub>2</sub>-SnO<sub>2</sub>复合材料及其制备方法和应用 [P]. 
卫欢 ;
侯利锋 ;
杜华云 ;
卫英慧 ;
贾建文 .
中国专利 :CN114242981B ,2024-04-09
[8]
α-NaFeO<sub>2</sub>基复合电极材料及其制备方法和应用 [P]. 
李越珠 ;
屈恋 ;
孔令涌 ;
刘嘉香 ;
梁小英 ;
李铭雅 .
中国专利 :CN117810393A ,2024-04-02
[9]
一种富纳米片的Co/CoO/Co<sub>3</sub>O<sub>4</sub>多孔复合材料及其制备方法和应用 [P]. 
温建武 ;
周星宇 ;
符亚军 ;
王军霞 ;
李晶 ;
曾敏 ;
刘丽莉 ;
任雪潭 ;
张亚萍 ;
李劲超 .
中国专利 :CN117887995A ,2024-04-16
[10]
一种金属掺杂改性SiO<sub>x</sub>基复合负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
崔鑫炜 ;
晁云峰 ;
李铜焱 .
中国专利 :CN119461384A ,2025-02-18