存储单元结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110625681.0

申请日：

2021-06-04

公开(公告)号：

CN113764418B

公开(公告)日：

2024-10-22

发明(设计)人：

卢超群

申请人：

钰创科技股份有限公司发明创新暨合作实验室有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

代理机构：

深圳新创友知识产权代理有限公司 44223

代理人：

江耀锋

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-22	授权	授权

共 50 条

[1]

存储单元结构 [P].

卢超群 .

中国专利 :CN119497379A ,2025-02-21

[2]

存储单元结构 [P].

卢超群 .

中国专利 :CN113764418A ,2021-12-07

[3]

存储单元结构及其制造方法、存储单元阵列结构 [P].

唐怡 .

中国专利 :CN119403121A ,2025-02-07

[4]

存储单元结构及其制造方法、存储单元阵列结构 [P].

唐怡 .

中国专利 :CN119403121B ,2025-10-03

[5]

存储单元结构、存储单元阵列及其制备方法 [P].

冯道欢 ;

蒋懿 ;

胡敏锐 ;

廖昱程 ;

肖德元 ;

杨晨 ;

赵文礼 .

中国专利 :CN119110579A ,2024-12-10

[6]

存储单元结构、存储单元阵列及其制备方法 [P].

冯道欢 ;

蒋懿 ;

胡敏锐 ;

廖昱程 ;

肖德元 ;

杨晨 ;

赵文礼 .

中国专利 :CN119110579B ,2025-09-26

[7]

存储单元结构及动态随机存取存储单元结构 [P].

高韵峯 ;

凌嘉佑 ;

姜慧如 .

中国专利 :CN220553299U ,2024-03-01

[8]

具有电容在晶体管上方的存储单元结构 [P].

卢超群 .

中国专利 :CN113675199A ,2021-11-19

[9]

具有电容在晶体管上方的存储单元结构 [P].

卢超群 .

中国专利 :CN113675199B ,2024-09-24

[10]

TFT SAS存储单元结构 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN101621037B ,2010-01-06

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