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一种硅碳负极活性材料及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202410537620.2
申请日
:
2024-04-30
公开(公告)号
:
CN119069701A
公开(公告)日
:
2024-12-03
发明(设计)人
:
杨金杯
丁盛平
王东
申请人
:
陕西浦士达环保科技有限公司
申请人地址
:
719000 陕西省榆林市榆神工业区清水工业园兴业路以西汇源大道以东
IPC主分类号
:
H01M4/62
IPC分类号
:
H01M4/38
H01M4/587
H01M10/0525
H01M4/1393
H01M4/1395
代理机构
:
陕西易商智企专利代理事务所(普通合伙) 61310
代理人
:
郝雪敏
法律状态
:
公开
国省代码
:
广西壮族自治区 玉林市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-12-03
公开
公开
2024-12-20
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01M 4/62申请日:20240430
共 50 条
[1]
一种高容量硅碳负极活性材料及其制备方法及其应用
[P].
杨时峰
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杨时峰
;
张大鹏
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张大鹏
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曹国林
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曹国林
;
刘万
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刘万
;
田占元
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田占元
;
邓增社
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邓增社
.
中国专利
:CN109301215A
,2019-02-01
[2]
硅碳负极材料及其制备方法
[P].
于冰
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于冰
;
杨娟玉
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杨娟玉
;
卢世刚
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卢世刚
;
史碧梦
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史碧梦
;
张克宇
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张克宇
.
中国专利
:CN106784833A
,2017-05-31
[3]
硅碳负极活性材料及其制备方法、硅碳负极材料及电池
[P].
潘科成
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机构:
郑州大学
郑州大学
潘科成
;
王伟成
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机构:
郑州大学
郑州大学
王伟成
;
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机构:
李明慧
;
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机构:
张彰
;
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机构:
周震
.
中国专利
:CN116344809B
,2025-08-26
[4]
硅碳负极活性材料及其制备方法、负极极片、电池
[P].
姚倩楠
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江苏鑫华半导体科技股份有限公司
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
姚倩楠
;
李宪文
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机构:
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
李宪文
;
李亚
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机构:
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
李亚
;
陈路路
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机构:
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
陈路路
;
冯向阳
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江苏鑫华半导体科技股份有限公司
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
冯向阳
;
郭思溪
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机构:
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
郭思溪
;
陈冬
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机构:
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
陈冬
;
江宏富
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机构:
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
江宏富
.
中国专利
:CN120039878A
,2025-05-27
[5]
一种硅碳负极前驱体材料、硅碳负极材料及其制备方法
[P].
唐唯佳
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唐唯佳
;
杨乐之
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杨乐之
;
涂飞跃
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涂飞跃
;
封青阁
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封青阁
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汤刚
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汤刚
;
彭青姣
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彭青姣
;
罗磊
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罗磊
;
覃事彪
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覃事彪
.
中国专利
:CN111653745A
,2020-09-11
[6]
一种硅碳负极材料及其制备方法
[P].
李昭进
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机构:
河北科技大学
河北科技大学
李昭进
;
郭旭
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机构:
河北科技大学
河北科技大学
郭旭
;
张迪
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河北科技大学
河北科技大学
张迪
;
胡志林
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河北科技大学
河北科技大学
胡志林
;
王波
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河北科技大学
河北科技大学
王波
;
王欢
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河北科技大学
河北科技大学
王欢
;
王秋君
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机构:
河北科技大学
河北科技大学
王秋君
.
中国专利
:CN114373918B
,2024-06-04
[7]
一种硅碳负极材料及其制备方法
[P].
李昭进
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李昭进
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郭旭
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郭旭
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张迪
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张迪
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胡志林
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胡志林
;
王波
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王波
;
王欢
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王欢
;
王秋君
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王秋君
.
中国专利
:CN114373918A
,2022-04-19
[8]
多孔碳材料及其制备方法和硅碳负极活性材料及其应用
[P].
段豪杰
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机构:
万华化学(烟台)电池材料科技有限公司
万华化学(烟台)电池材料科技有限公司
段豪杰
.
中国专利
:CN120987322A
,2025-11-21
[9]
硅/碳负极活性材料及其制备方法和应用
[P].
邹文
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邹文
;
齐士博
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齐士博
;
吕豪杰
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吕豪杰
.
中国专利
:CN112125310A
,2020-12-25
[10]
硅碳负极材料及其制备方法
[P].
王建平
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王建平
;
徐艳红
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徐艳红
;
苗力孝
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苗力孝
.
中国专利
:CN109346696A
,2019-02-15
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