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碳化硅器件及其制作方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411472953.8
申请日
:
2024-10-22
公开(公告)号
:
CN119008400A
公开(公告)日
:
2024-11-22
发明(设计)人
:
王士京
王兆祥
张名瑜
王铃沣
王昕
李俭
申请人
:
上海邦芯半导体科技有限公司
申请人地址
:
201413 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区平霄路358号7号厂房、9号厂房
IPC主分类号
:
H01L21/308
IPC分类号
:
H01L21/04
代理机构
:
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
:
鲁盛楠
法律状态
:
授权
国省代码
:
上海市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-02-25
授权
授权
2024-11-22
公开
公开
2024-12-10
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/308申请日:20241022
共 50 条
[1]
碳化硅器件及其制作方法
[P].
王士京
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
王士京
;
王兆祥
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
王兆祥
;
张名瑜
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
张名瑜
;
王铃沣
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
王铃沣
;
王昕
论文数:
0
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0
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0
机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
王昕
;
李俭
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
李俭
.
中国专利
:CN119008400B
,2025-02-25
[2]
碳化硅器件的制作方法
[P].
王士京
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
王士京
;
王兆祥
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
王兆祥
;
梁洁
论文数:
0
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0
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0
机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
梁洁
;
张名瑜
论文数:
0
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0
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0
机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
张名瑜
;
李俭
论文数:
0
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0
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0
机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
李俭
;
王铃沣
论文数:
0
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0
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0
机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
王铃沣
;
刘博
论文数:
0
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0
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0
机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
刘博
;
姚凌宇
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
姚凌宇
.
中国专利
:CN120152344A
,2025-06-13
[3]
碳化硅功率器件及其制作方法
[P].
罗曦溪
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
深圳平湖实验室
深圳平湖实验室
罗曦溪
.
中国专利
:CN120751750B
,2025-12-12
[4]
碳化硅功率器件及其制作方法
[P].
胡洪兴
论文数:
0
引用数:
0
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0
胡洪兴
;
蔡文必
论文数:
0
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0
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0
蔡文必
;
郭飞
论文数:
0
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0
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0
郭飞
;
郭锦鹏
论文数:
0
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0
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0
郭锦鹏
;
周永田
论文数:
0
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0
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0
周永田
;
王勇
论文数:
0
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0
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0
王勇
;
陶永洪
论文数:
0
引用数:
0
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0
陶永洪
.
中国专利
:CN113707710A
,2021-11-26
[5]
碳化硅功率器件及其制作方法
[P].
罗曦溪
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
深圳平湖实验室
深圳平湖实验室
罗曦溪
.
中国专利
:CN120751750A
,2025-10-03
[6]
碳化硅器件非合金欧姆接触的制作方法及碳化硅器件
[P].
刘相伍
论文数:
0
引用数:
0
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0
刘相伍
;
谭永亮
论文数:
0
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0
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谭永亮
;
周国
论文数:
0
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0
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周国
;
闫锐
论文数:
0
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0
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闫锐
;
崔玉兴
论文数:
0
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0
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0
崔玉兴
.
中国专利
:CN109524298A
,2019-03-26
[7]
碳化硅MOS器件的制作方法及碳化硅MOS器件
[P].
张渝剀
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司
芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司
张渝剀
;
梁新颖
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司
芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司
梁新颖
.
中国专利
:CN119170508A
,2024-12-20
[8]
P型碳化硅器件及其制作方法
[P].
姜岩峰
论文数:
0
引用数:
0
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0
姜岩峰
.
中国专利
:CN101369600A
,2009-02-18
[9]
碳化硅器件终端结构及其制作方法
[P].
王永维
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王永维
;
马杰
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马杰
;
吕树海
论文数:
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吕树海
;
王国清
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0
王国清
;
张力江
论文数:
0
引用数:
0
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0
张力江
.
中国专利
:CN109545842B
,2019-03-29
[10]
碳化硅MOSFET器件及其制作方法
[P].
袁俊
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
湖北九峰山实验室
湖北九峰山实验室
袁俊
.
中国专利
:CN114464680B
,2025-12-05
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