碳化硅器件及其制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411472953.8
申请日
2024-10-22
公开(公告)号
CN119008400A
公开(公告)日
2024-11-22
发明(设计)人
王士京 王兆祥 张名瑜 王铃沣 王昕 李俭
申请人
上海邦芯半导体科技有限公司
申请人地址
201413 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区平霄路358号7号厂房、9号厂房
IPC主分类号
H01L21/308
IPC分类号
H01L21/04
代理机构
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
鲁盛楠
法律状态
授权
国省代码
上海市
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共 50 条
[1]
碳化硅器件及其制作方法 [P]. 
王士京 ;
王兆祥 ;
张名瑜 ;
王铃沣 ;
王昕 ;
李俭 .
中国专利 :CN119008400B ,2025-02-25
[2]
碳化硅器件的制作方法 [P]. 
王士京 ;
王兆祥 ;
梁洁 ;
张名瑜 ;
李俭 ;
王铃沣 ;
刘博 ;
姚凌宇 .
中国专利 :CN120152344A ,2025-06-13
[3]
碳化硅功率器件及其制作方法 [P]. 
罗曦溪 .
中国专利 :CN120751750B ,2025-12-12
[4]
碳化硅功率器件及其制作方法 [P]. 
胡洪兴 ;
蔡文必 ;
郭飞 ;
郭锦鹏 ;
周永田 ;
王勇 ;
陶永洪 .
中国专利 :CN113707710A ,2021-11-26
[5]
碳化硅功率器件及其制作方法 [P]. 
罗曦溪 .
中国专利 :CN120751750A ,2025-10-03
[6]
碳化硅器件非合金欧姆接触的制作方法及碳化硅器件 [P]. 
刘相伍 ;
谭永亮 ;
周国 ;
闫锐 ;
崔玉兴 .
中国专利 :CN109524298A ,2019-03-26
[7]
碳化硅MOS器件的制作方法及碳化硅MOS器件 [P]. 
张渝剀 ;
梁新颖 .
中国专利 :CN119170508A ,2024-12-20
[8]
P型碳化硅器件及其制作方法 [P]. 
姜岩峰 .
中国专利 :CN101369600A ,2009-02-18
[9]
碳化硅器件终端结构及其制作方法 [P]. 
王永维 ;
马杰 ;
吕树海 ;
王国清 ;
张力江 .
中国专利 :CN109545842B ,2019-03-29
[10]
碳化硅MOSFET器件及其制作方法 [P]. 
袁俊 .
中国专利 :CN114464680B ,2025-12-05