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低誘電率高分子基板及びその製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20240534419
申请日
:
2021-12-10
公开(公告)号
:
JP2024546117A
公开(公告)日
:
2024-12-17
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C23C14/02
IPC分类号
:
B32B7/025
B32B15/08
B32B18/00
C23C14/08
C23C14/14
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
高分子基板の製造方法及び電子装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6837032B2
,2021-03-03
[2]
高分子電解質及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5791732B2
,2015-10-07
[3]
高分子電解質及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009116446A1
,2011-07-21
[4]
高分子固体電解質及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2024535395A
,2024-09-30
[5]
高分子固体電解質及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025505680A
,2025-02-28
[6]
高分子固体電解質及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7681799B2
,2025-05-22
[7]
高分子固体電解質及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7777222B2
,2025-11-27
[8]
高分子固体電解質及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025501091A
,2025-01-17
[9]
高分子固体電解質及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2024535413A
,2024-09-30
[10]
導電性高分子及び導電性高分子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5688868B1
,2015-03-25
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