低誘電率高分子基板及びその製造方法[ja]

被引:0
申请号
JP20240534419
申请日
2021-12-10
公开(公告)号
JP2024546117A
公开(公告)日
2024-12-17
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
C23C14/02
IPC分类号
B32B7/025 B32B15/08 B32B18/00 C23C14/08 C23C14/14
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
[2]
高分子電解質及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP5791732B2 ,2015-10-07
[3]
高分子電解質及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2009116446A1 ,2011-07-21
[4]
高分子固体電解質及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2024535395A ,2024-09-30
[5]
高分子固体電解質及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025505680A ,2025-02-28
[6]
高分子固体電解質及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7681799B2 ,2025-05-22
[7]
高分子固体電解質及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7777222B2 ,2025-11-27
[8]
高分子固体電解質及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025501091A ,2025-01-17
[9]
高分子固体電解質及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2024535413A ,2024-09-30
[10]
導電性高分子及び導電性高分子の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP5688868B1 ,2015-03-25