一种多级次微米硅锂电负极材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411510900.0

申请日：

2024-10-28

公开(公告)号：

CN119230810A

公开(公告)日：

2024-12-31

发明(设计)人：

徐君程列鑫管虹周俊舒伟黄翔何强何琦裘绍君李明华堵楠锋郑玲玲王恺孔洪涛沈红萍黄梁

申请人：

绍兴市质量技术监督检测院

申请人地址：

312000 浙江省绍兴市越城区沥海街道花宫道8号

IPC主分类号：

H01M4/38

IPC分类号：

H01M4/36 H01M4/583 H01M4/62 B82Y40/00

代理机构：

绍兴市寅越专利代理事务所(普通合伙) 33285

代理人：

周亮

法律状态：

公开

国省代码：

浙江省绍兴市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-31	公开	公开
2025-01-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01M 4/38申请日:20241028

共 50 条

[1]

一种用于锂离子电池的多级次微米硅负极材料的制备方法 [P].

徐君 ;

周俊 ;

黄翔 ;

程列鑫 ;

舒伟 ;

管虹 ;

何强 ;

裘绍君 ;

何琦 ;

李明华 ;

堵楠锋 ;

沈红萍 ;

王恺 ;

郑玲玲 ;

陈飞飞 ;

孔洪涛 .

中国专利 :CN119230792A ,2024-12-31

[2]

一种微米硅碳负极材料及微米硅碳负极极片的制备方法 [P].

余锡孟 ;

胡泽峰 ;

孙昱蒙 ;

董勇 ;

沈忠昀 ;

许莉 ;

刘晶晶 ;

张永良 ;

金黎钢 ;

程列鑫 ;

徐君 ;

谢铭州 .

中国专利 :CN118367134A ,2024-07-19

[3]

一种微米硅负极浆料的制备方法及其应用 [P].

宋伟雄 ;

黄盛彬 ;

李志春 ;

李学法 .

中国专利 :CN120809790A ,2025-10-17

[4]

一种基于微米硅片制备硅碳负极材料的方法 [P].

叶圣杰 ;

赵东辉 ;

周鹏伟 .

中国专利 :CN109935808A ,2019-06-25

[5]

一种硅负极材料、硅负极及硅负极的制备方法 [P].

胡倩倩 ;

洪晔 ;

毛文峰 ;

吴春宇 ;

董海勇 ;

长世勇 .

中国专利 :CN110556519A ,2019-12-10

[6]

一种梯度结构微米硅负极材料及制备方法 [P].

柳伟 ;

王彦彭 .

中国专利 :CN120229730A ,2025-07-01

[7]

一种硅基复合锂电负极材料的制备方法 [P].

朱丹凤 ;

苏敏 .

中国专利 :CN113363433B ,2021-09-07

[8]

一种制备锂电池硅碳负极材料的方法、负极材料和锂电池 [P].

袁树兵 ;

冯苏宁 ;

刘芳 ;

李辉 ;

卢勇 ;

顾华清 ;

周勇岐 ;

李婷 ;

毕文君 .

中国专利 :CN110723721A ,2020-01-24

[9]

一种硅碳负极材料制备方法 [P].

何随群 .

中国专利 :CN120398065A ,2025-08-01

[10]

一种硅碳负极材料制备方法 [P].

何随群 .

中国专利 :CN120398065B ,2025-09-09

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