自旋轨道矩磁阻式随机存取存储器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980088186.1

申请日：

2019-10-11

公开(公告)号：

CN113272983B

公开(公告)日：

2024-12-27

发明(设计)人：

安在洙朴赞道曾信伟薛林马亨德拉·帕卡拉

申请人：

应用材料公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H10N50/10

IPC分类号：

H10N50/80 H10N50/85 H10N50/01

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;赵静

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-27	授权	授权

共 50 条

[1]

自旋轨道矩磁阻式随机存取存储器及其制造方法 [P].

安在洙 ;

朴赞道 ;

曾信伟 ;

薛林 ;

马亨德拉·帕卡拉 .

中国专利 :CN113272983A ,2021-08-17

[2]

自旋轨道转矩式磁阻式随机存取存储器结构 [P].

郭致玮 ;

林宏展 ;

邱崇益 .

中国专利 :CN117812916A ,2024-04-02

[3]

磁阻式随机存取存储器及其制造方法 [P].

徐晨祐 ;

刘世昌 ;

蔡嘉雄 .

中国专利 :CN103378287A ,2013-10-30

[4]

双端自旋轨道转矩磁阻式随机存取存储器及其制造方法 [P].

W·S-H·黄 ;

S·X·王 ;

薛芬 ;

W·蔡 ;

H·西姆卡 .

韩国专利 :CN120019747A ,2025-05-16

[5]

磁阻式随机存取存储器及其制造方法 [P].

林世杰 ;

于淳 ;

威廉·J·加拉格尔 .

中国专利 :CN109860386A ,2019-06-07

[6]

自旋转移矩磁阻随机存取存储器装置及其制造方法 [P].

A.J.安农齐亚塔 ;

B.B.多里斯 ;

E.J.奥苏里范 .

中国专利 :CN112103387A ,2020-12-18

[7]

自旋转移矩磁阻随机存取存储器装置及其制造方法 [P].

A.J.安农齐亚塔 ;

B.B.多里斯 ;

E.J.奥苏里范 .

美国专利 :CN112103387B ,2024-10-15

[8]

磁阻式随机存取存储器 [P].

王慧琳 ;

许博凯 ;

张境尹 ;

陈宏岳 ;

王裕平 ;

吴家荣 ;

黄瑞民 ;

蔡雅卉 ;

张翊凡 .

中国专利 :CN112768601A ,2021-05-07

[9]

磁阻式随机存取存储器 [P].

刘安淇 ;

林俊贤 .

中国专利 :CN112018146B ,2024-01-05

[10]

磁阻式随机存取存储器 [P].

罗仕玮 ;

黄宗彬 .

中国专利 :CN120050942A ,2025-05-27

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