一种多孔碳基材的气相硅碳负极材料

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411222964.0
申请日
2024-09-03
公开(公告)号
CN119252877A
公开(公告)日
2025-01-03
发明(设计)人
李敏锋 杨宇乐 姜志忠
申请人
浙江维思通新材料有限公司
申请人地址
313000 浙江省湖州市长兴县林城镇工业集中区
IPC主分类号
H01M4/36
IPC分类号
C08B30/12 H01M4/38 H01M4/583 H01M4/58 H01M4/62 H01M10/0525 C23C16/26 C01B32/05 B82Y30/00 B82Y40/00
代理机构
湖州果得知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33365
代理人
戴心同
法律状态
实质审查的生效
国省代码
浙江省 湖州市
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共 50 条
[1]
硅碳负极材料、多孔碳及制备方法 [P]. 
李泉 ;
白宇 ;
宋宏芳 ;
滕克军 ;
李文卓 ;
赵东辉 .
中国专利 :CN120483150A ,2025-08-15
[2]
多孔碳、硅碳负极材料,及多孔碳的制备方法 [P]. 
栗广奉 ;
郑安雄 ;
张鹏飞 ;
阮愉悦 ;
孔祥云 .
中国专利 :CN115676825A ,2023-02-03
[3]
多孔碳及其制备方法、硅碳负极材料、硅碳负极材料的制备方法 [P]. 
栗广奉 ;
孔祥云 ;
郑安雄 ;
阮愉悦 .
中国专利 :CN117776183B ,2024-11-15
[4]
多孔碳及其制备方法、硅碳负极材料、硅碳负极材料的制备方法 [P]. 
栗广奉 ;
郑安雄 ;
张鹏飞 ;
阮愉悦 ;
孔祥云 .
中国专利 :CN117776183A ,2024-03-29
[5]
硅碳负极材料及硅碳负极材料的制备方法 [P]. 
李宁 ;
余德馨 ;
傅儒生 ;
仰韻霖 .
中国专利 :CN118983419A ,2024-11-19
[6]
一种硅碳负极材料的制备方法和硅碳负极材料 [P]. 
韩峰 ;
王好东 ;
杨璋军 ;
杨攀 .
中国专利 :CN120039887B ,2025-08-29
[7]
一种硅碳负极材料的制备方法和硅碳负极材料 [P]. 
韩峰 ;
王好东 ;
杨璋军 ;
杨攀 .
中国专利 :CN120039887A ,2025-05-27
[8]
多孔碳材料及硅碳负极材料的制备方法 [P]. 
白宇 ;
宋宏芳 ;
张元辉 ;
滕克军 ;
赵东辉 .
中国专利 :CN118108205A ,2024-05-31
[9]
一种硅碳负极材料用多孔碳的制备方法 [P]. 
张景杰 ;
蔺洪阳 ;
吕鹏鹏 ;
李萌启 .
中国专利 :CN119263278A ,2025-01-07
[10]
一种硅碳负极材料用多孔碳的制备方法 [P]. 
张景杰 ;
蔺洪阳 ;
吕鹏鹏 ;
李萌启 .
中国专利 :CN119263278B ,2025-07-25