蚀刻组合物、使用其蚀刻含金属的膜的方法和使用其制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410805223.9

申请日：

2024-06-21

公开(公告)号：

CN119177446A

公开(公告)日：

2024-12-24

发明(设计)人：

咸喆姜炳俊金相完金圣玟朴仁仙宋佳荣吴政玟黄圭荣

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

C23F1/16

IPC分类号：

C09K13/06

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

金拟粲

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-24	公开	公开

共 50 条

[1]

蚀刻组合物、使用其蚀刻含金属的膜的方法和使用其制造半导体器件的方法 [P].

黄圭荣 ;

姜炳俊 ;

金大铉 ;

金圣玟 ;

朴美贤 ;

吴政玟 ;

咸喆 .

韩国专利 :CN118685773A ,2024-09-24

[2]

蚀刻组合物、通过使用其蚀刻含金属的膜的方法和通过使用其制造半导体器件的方法 [P].

咸喆 ;

姜炳俊 ;

高基淏 ;

金圣玟 ;

朴美贤 ;

朴仁仙 ;

裵珍惠 ;

李锦喜 ;

赵旻炯 ;

黄圭荣 .

韩国专利 :CN119842402A ,2025-04-18

[3]

蚀刻组合物、使用其蚀刻含金属的层的方法、以及使用其制造半导体器件的方法 [P].

姜炳俊 ;

金圣玟 ;

朴仁仙 ;

成旼哉 ;

梁师碧 ;

吴政玟 ;

李锦喜 ;

咸喆 ;

黄圭荣 .

韩国专利 :CN120230559A ,2025-07-01

[4]

蚀刻组合物、通过使用其蚀刻含金属的层的方法、和通过使用所述蚀刻组合物制造半导体器件的方法 [P].

黄圭荣 ;

姜炳俊 ;

金大铉 ;

金圣玟 ;

金吉娜 ;

朴美贤 ;

朴仁仙 ;

吴政玟 ;

李锦喜 ;

咸喆 .

韩国专利 :CN120424659A ,2025-08-05

[5]

蚀刻组合物和使用其制造半导体器件的方法 [P].

金用泰 ;

林廷训 ;

金秀珍 ;

吴政玟 ;

田昇敏 ;

全夏英 .

中国专利 :CN110885685A ,2020-03-17

[6]

蚀刻组合物和通过使用其制造半导体器件的方法 [P].

李孝善 ;

金澔永 ;

裵相元 ;

金珉久 ;

林廷训 ;

崔容在 .

中国专利 :CN108122752B ,2018-06-05

[7]

用于含钛层的蚀刻组合物、使用蚀刻组合物的蚀刻含钛层的方法和制造半导体器件的方法 [P].

姜炳俊 ;

金圣玟 ;

成旼哉 ;

宋佳荣 ;

吴政玟 ;

李晓山 ;

崔炳基 ;

咸喆 ;

黄圭荣 .

韩国专利 :CN118547287A ,2024-08-27

[8]

蚀刻组合物，使用其蚀刻半导体器件的绝缘膜的方法以及制备半导体器件的方法 [P].

金喆禹 ;

李光国 ;

郭宰熏 ;

金荣汎 ;

辛姃河 ;

李宗昊 ;

赵珍耿 .

韩国专利 :CN112442372B ,2024-03-29

[9]

蚀刻组合物，使用其蚀刻半导体器件的绝缘膜的方法以及制备半导体器件的方法 [P].

金喆禹 ;

李光国 ;

郭宰熏 ;

金荣汎 ;

辛姃河 ;

李宗昊 ;

赵珍耿 .

中国专利 :CN112442372A ,2021-03-05

[10]

蚀刻组合物及通过使用其制造半导体器件的方法 [P].

金秀珍 ;

李孝善 ;

裵珍惠 ;

林廷训 ;

崔容在 .

中国专利 :CN108231573A ,2018-06-29

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