一种IGBT器件的多应力作用测试系统及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011508777.0

申请日：

2020-12-18

公开(公告)号：

CN112526312B

公开(公告)日：

2024-12-13

发明(设计)人：

邓二平王延浩赵雨山黄永章

申请人：

华北电力大学

申请人地址：

102206 北京市昌平区回龙观镇北农路2号

IPC主分类号：

G01R31/26

IPC分类号：

代理机构：

北京高沃律师事务所 11569

代理人：

王爱涛

法律状态：

授权

国省代码：

北京市市辖区

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-13	授权	授权

共 50 条

[1]

一种IGBT器件的多应力作用测试系统及方法 [P].

邓二平 ;

王延浩 ;

赵雨山 ;

黄永章 .

中国专利 :CN112526312A ,2021-03-19

[2]

一种IGBT器件的多应力作用测试系统 [P].

邓二平 ;

王延浩 ;

赵雨山 ;

黄永章 .

中国专利 :CN214011423U ,2021-08-20

[3]

IGBT器件的测试方法、测试装置及测试系统 [P].

胡傲雪 ;

胡强 ;

孟繁新 ;

封明辉 ;

黄庆波 ;

赵伟 ;

何家霖 ;

岳兰 .

中国专利 :CN118444118A ,2024-08-06

[4]

应力作用的半导体器件及其制造方法 [P].

王祯贞 .

中国专利 :CN102044561A ,2011-05-04

[5]

一种改善应力层应力作用的方法 [P].

荆学珍 ;

向阳辉 ;

杨瑞鹏 .

中国专利 :CN102468171A ,2012-05-23

[6]

一种IGBT耐压测试系统及方法 [P].

胡傲雪 ;

孟繁新 ;

封明辉 ;

黄庆波 ;

赵伟 ;

何家霖 ;

唐志尧 ;

岳兰 .

中国专利 :CN118671545B ,2024-11-19

[7]

一种IGBT耐压测试系统及方法 [P].

胡傲雪 ;

孟繁新 ;

封明辉 ;

黄庆波 ;

赵伟 ;

何家霖 ;

唐志尧 ;

岳兰 .

中国专利 :CN118671545A ,2024-09-20

[8]

一种IGBT器件及其测试系统 [P].

张亚洪 ;

王微微 ;

林长克 .

中国专利 :CN117970063A ,2024-05-03

[9]

一种IGBT器件的测试电路及测试方法 [P].

王鹏 ;

李金元 ;

李尧圣 ;

崔梅婷 ;

吴鹏飞 ;

陈中圆 ;

张雷 .

中国专利 :CN107765160B ,2018-03-06

[10]

一种多应力作用下智能电表的误差评估方法 [P].

余传祥 ;

潘傲然 ;

李建立 ;

毛文鹏 ;

罗玛 ;

郭豪杰 ;

陈昊宇 ;

张英健 ;

黄拥 ;

金鑫 ;

陈伯朗 ;

殷海菠 ;

曾珂 ;

刘勃江 ;

蒋天雨 .

中国专利 :CN118585762A ,2024-09-03

← 1 2 3 4 5 →