自组装空穴传输材料、光电器件及其制备方法、应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411302163.5
申请日
2024-09-18
公开(公告)号
CN119285675A
公开(公告)日
2025-01-10
发明(设计)人
樊慧柯 应昕彤 李兆宁 曾海鹏
申请人
天合光能股份有限公司
申请人地址
213031 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号
IPC主分类号
C07F9/572
IPC分类号
C09K11/06 H10K85/60 H10K30/50 H10K30/86
代理机构
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
谢欣芸
法律状态
公开
国省代码
江苏省 常州市
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
自组装空穴传输材料、应用、光电器件及其制备方法 [P]. 
樊慧柯 ;
应昕彤 ;
杨玉雯 ;
李兆宁 ;
曾海鹏 .
中国专利 :CN119173121A ,2024-12-20
[2]
自组装空穴传输材料及其制备方法、应用 [P]. 
李兆宁 ;
曾海鹏 ;
莫易 ;
樊慧柯 ;
张学玲 ;
冯志强 .
中国专利 :CN118206586A ,2024-06-18
[3]
空穴传输材料及其制备方法、光电器件 [P]. 
吴劲衡 ;
何斯纳 ;
吴龙佳 .
中国专利 :CN114497398A ,2022-05-13
[4]
单分子自组装空穴传输材料及合成方法和光电器件 [P]. 
张大庆 ;
徐勃 ;
黄锦海 .
中国专利 :CN117946071B ,2025-11-18
[5]
单分子自组装空穴传输材料及合成方法和光电器件 [P]. 
张大庆 ;
徐勃 ;
黄锦海 .
中国专利 :CN117946071A ,2024-04-30
[6]
基于溴化二苯并咔唑的自组装材料及其制备方法、空穴传输材料、光电器件 [P]. 
许宗祥 ;
曲歌平 ;
张乐天 .
中国专利 :CN120271626A ,2025-07-08
[7]
含吡啶二羧基自组装空穴传输材料、合成方法及作为光电器件的应用 [P]. 
徐勃 ;
罗鑫 ;
张大庆 ;
国玉晓 ;
黄静 .
中国专利 :CN117603135A ,2024-02-27
[8]
含三苯胺二羧基自组装空穴传输材料、合成方法及作为光电器件的应用 [P]. 
徐勃 ;
罗鑫 ;
伊斯梅尔·谢巴尼 ;
周国荣 ;
黄静 .
中国专利 :CN119320332A ,2025-01-17
[9]
自组装空穴传输材料及其制备方法及应用 [P]. 
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN119954860A ,2025-05-09
[10]
一种双功能自组装空穴传输材料及其制备方法和应用 [P]. 
王行柱 ;
刘志鑫 .
中国专利 :CN118724948A ,2024-10-01